TMR1212数据手册MDT中文资料规格书

描述 Description

TMR1212是一款集成了隧道磁阻（TMR）传感器和CMOS技术，为高灵敏度、高速、低功耗、高精度应用而开发的双极磁开关。与常规的磁开关相比，TMR1212 带有磁存储功能，在掉电情况下依然可以探测磁场极性变化，并存储在磁存储单元中，上电后可以立刻读取最近一次的磁场极性状态。TMR1212采用TMR磁传感器和CMOS集成电路，包括电压发生器、比较器、施密特触发器和CMOS输出电路，能将变化的磁场信号转化为数字电压信号输出。TMR1212通过内部电压稳压器来提供温度补偿电源，并允许宽的工作电压范围。TMR1212以低电压工作、1微安级的供电电流、高响应频率、宽的工作温度范围、优越的抗外磁干扰特性成为众多低功耗、高性能应用的理想选择。TMR1212采用封装形式为SOT23-3和TO92S，所对应的产品型为TMR1212 S和TMR1212T。

特性 Features

（1）隧道磁电阻(TMR) 技术
（2）超低功耗1.5μA
（3）1kHz高频率响应
（4）双极锁存型开关
（5）掉电磁存储
（6）宽工作电压范围
（7）卓越的温度稳定性
（8）优越的抗外磁场性能

应用 Application

（1）计量仪表（水表、气表、热量表）
（2）固态开关
（3）速度检测
（4）线性及旋转位置检测
（5）电梯门机双稳定开关