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TMR1162数据手册MDT中文资料规格书

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厂商型号

TMR1162

功能描述

200nA超低功耗单极磁开关传感器

制造商

MDT MDT technology

中文名称

多维

数据手册

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更新时间

2025-8-17 23:00:00

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TMR1162规格书详情

描述 Description

TMR1162是一款集成了隧道磁阻(TMR)传感器和CMOS技术,为高灵敏度、高速、低功耗、高精度应用而开发的单极型磁开关。TMR1162采用高精度推挽式全桥TMR磁传感器和CMOS集成电路,包括TMR电压发生器、比较器、施密特触发器和CMOS输出电路,能将变化的磁场信号转化为数字电压信号输出。TMR1162通过内部电压稳压器来提供温度补偿电源,并允许宽的工作电压范围。TMR1162以约200nA安的供电电流、较高响应频率、宽的工作温度范围、优越的抗外磁干扰特性成为众多低功耗、高性能应用的理想选择。TMR1162采用两种封装形式:SOT23-3和TO-92S,所对应的产品型号分别为TMR1162S和TMR1162T。

特性 Features

(1)隧道磁电阻 (TMR) 技术
(2)单极型磁开关,磁南极响应(S-Pole)
(3)200nA超低功耗
(4)50Hz高频率响应
(5)-40~125℃宽工作温度范围
(6)开漏输出
(7) 1.8~5.5V宽工作电压范围
(8)优越的抗外磁场性能。

应用 Application

(1)流量计,包括水表、气表和热量表
(2)固态开关
(3)速度检测
(4)位置检测
(5)电机和风扇控制
(6)电动车窗

技术参数

  • 制造商编号

    :TMR1162

  • 生产厂家

    :MDT

  • 类型:

    :单极

  • 供电电压:

    :1.8~5.5V

  • 功耗:

    :200nA

  • 工作模式:

    :分时供电

  • 敏感方向:

    :X轴

  • 输出接口:

    :Open Drain

  • 封装形式:

    :SOT23-3 TO92S

  • 交付周期:

    :In stock

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