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TMR1202H数据手册MDT中文资料规格书

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厂商型号

TMR1202H

功能描述

超低功耗高频双极锁存型磁开关传感器

制造商

MDT MDT technology

中文名称

多维

数据手册

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更新时间

2025-8-17 23:00:00

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TMR1202H规格书详情

描述 Description

TMR1202H是一款集成了隧道磁阻(TMR)传感器和CMOS技术,为高灵敏度、高速、低功耗、高精度应用而开发的双极磁开关。TMR1202H采用TMR磁传感器和CMOS集成电路,包括电压发生器、比较器、施密特触发器和CMOS输出电路,能将变化的磁场信号转化为数字电压信号输出。TMR1202H通过内部电压稳压器来提供温度补偿电源,并允许宽的工作电压范围。TMR1202H以低电压工作、1微安级的供电电流、高响应频率、宽的工作温度范围、优越的抗外磁干扰特性成为众多低功耗、高性能应用的理想选择。TMR1202H采用两种封装形式:SOT23-3封装形式和TO-92S,所对应的产品型号分别为TMR1202HS和TMR1202HT。

特性 Features

(1)隧道磁电阻(TMR)技术
(2)1.5微安超低功耗
(3)5kHz高频率响应
(4)双极锁存型开关
(5)高灵敏度,低开关点
(6)宽工作电压范围
(7)卓越的温度稳定性
(8)优越的抗外磁场性能

应用 Application

(1)流量计,包括水表、气表和热量表
(2)固态开关
(3)速度检测
(4)线性及旋转位置检测

技术参数

  • 制造商编号

    :TMR1202H

  • 生产厂家

    :MDT

  • 类型:

    :双极锁存

  • 供电电压:

    :1.5~5.5 V

  • 功耗:

    :1.5uA

  • 工作模式:

    :连续供电

  • 敏感方向:

    :X轴

  • 输出接口:

    :CMOS

  • 封装形式:

    :SOT23-3 TO92S

  • 交付周期:

    :In stock

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