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TMR2901

超高灵敏度、超低噪声TMR 线性传感器

TMR2901采用了一个独特的推挽式惠斯通全桥结构设计,包含四个高灵敏度TMR传感器元件。TMR2901性能优越,采用的封装形式:SOP8(6mm x 5mm x 1.5mm)和DFN8(3 mm ´ 3 mm ´ 0.75 mm)两种。 (1)隧道磁电阻 ( TMR) 技术;(2)高灵敏度 (25mV/V/Oe);(3)低的本底噪声 (2nT/rt(Hz) @1Hz);(4)低功耗;(5)优越的温度稳定性;(6)低的磁滞;(7)宽工作电压范围;(8)不需要置位/复位脉冲电路;

MDT

多维

TMR2901

Ultra High Sensitivity TMR linear sensor

General Description The TMR2901 linear sensor utilizes a unique push-pull Wheatstone bridge composed of four TMR sensor elements. The TMR2901 is available in a 3 mm X 3 mm X 0.75 mm DFN8 package and 6mm X 5mm X 1.5mm SOP8 package. Features and Benefits T unneling Magneto resistance (TMR) Tech

文件:507.81 Kbytes 页数:5 Pages

MULTIDIMENSION

多维科技

TMR2901

Magnetic Tunnelling Magnetoresistive (TMR) Linear Sensors

AECI

AECI

TPS2901

SIMPLE -48-V HOT SWAP CONTROLLER

文件:653.35 Kbytes 页数:21 Pages

TI

德州仪器

TS2901

Quad Voltage Comparator

文件:133.62 Kbytes 页数:6 Pages

TSC

台湾半导体

TZ2901A

Crystal Unit SMD 2.0x1.6 37.4MHz

Features: Surface Mount Hermetic Package Excellent Reliability Performance Good Frequency Perturbation and Stability over temperature Ultra Miniature Package Description and Applications: Surface mount 2.0mmx1.6mm crystal unit for use in wireless communications devices, especially for a n

文件:169.7 Kbytes 页数:8 Pages

TAI-SAW

嘉硕科技

技术参数

  • 磁阻结构::

    全桥

  • 供电电压::

    0~7 V

  • 敏度(mV/V/Oe)::

    25

  • 电阻(kΩ)::

    45

  • 饱和场(Oe)::

    ±20

  • 敏感方向::

    Y轴

  • 磁滞(Oe)::

    0.2

  • 本底噪声(nT/rt(Hz) @1Hz)::

    ~2

  • 封装形式::

    SOP8 DFN8L(3×3×0.75)

  • 交付周期::

    In stock

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更多TMR2901供应商 更新时间2025-10-9 10:06:00