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TMR2651数据手册MDT中文资料规格书

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厂商型号

TMR2651

功能描述

高频响可编程TMR线性磁传感器芯片

制造商

MDT MDT technology

中文名称

多维

数据手册

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更新时间

2025-8-17 11:06:00

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TMR2651规格书详情

描述 Description

TMR2651线性传感器芯片是内置了专用信号调理电路的隧道磁阻(TMR)线性传感器,由隧道磁阻(TMR)传感器和专用信号调理电路组成。使用内置的专用信号调理电路,对隧道磁阻(TMR)桥路的零点偏移(Offset)、增益(Gain),灵敏度温度系数(TCS)和零点偏移温度系数(TCO)等参数进行了调整,输出经校正过后的电压信号。经过专用信号调理电路的信号调理,TMR2651线性传感器芯片在隧道磁阻(TMR)高分辨率、高信噪比、低功耗等特性的基础上增加了新的特性:一是线性范围固定电压输出;二是灵敏度一致性好;三是极小零点漂移;四是低灵敏度温漂;五是低零点偏移温漂,极大地增强了隧道磁阻(TMR)线性传感器产品设计、使用的便利性。该款线性芯片采用DFN6L(3mm×2mm×0.75mm)封装,型号为TMR2651D。

特性 Features

(1)隧道磁阻(TMR)技术
(2)高频响:DC ~ 2 MHz
(3)大量程:TMR2651D ±1000Gs
(4)宽工作电压(3 V ~ 5.5 V)
(5)非线性度:0.2 %
(6)灵敏度、零偏可编程
(7)温度补偿可编程
(8)符合RoHS & REACH。

应用 Application

(1)线性位移传感器
(2)电流传感器
(3)高斯计
(4)编码器。

技术参数

  • 制造商编号

    :TMR2651

  • 生产厂家

    :MDT

  • 磁阻结构

    :/

  • 供电电压

    :3.2~5.5 V

  • 灵敏度(mV/V/Gs)

    :1.3

  • 电阻(kΩ)

    :/

  • 饱和场(Gs)

    :±1000

  • 敏感方向

    :X轴

  • 磁滞(Gs)

    :0.2~1.5

  • 本底噪声(nT/rt(Hz) @1Hz)

    :20~150

  • 封装形式

    :DFN6L(3×2×0.75)

  • 交付周期

    :In stock

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