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TK55A10J1	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	Bipolar Small-Signal Transistors MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
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TK55A10J1

文件：1.58274 Mbytes

Page：73 Pages

Bipolar Small-Signal Transistors

MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

TOSHIBA

TK55A10J1

文件：300 bytes

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Power MOSFET (N-ch single 60V VDSS 150V); Drain current ID 55 A \nPower Dissipation PD 45 W \nDrain-Source voltage VDSS 100 V \n;

Polarity：N-ch\nGeneration：U-MOSⅢ-H\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Available\nAssembly bases：马来西亚\n

ToshibaToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

Toshiba

详细参数

型号：
TK55A10J1
制造商：
Toshiba America Electronic Components
制造商：
Toshiba America Electronic Components
功能描述：
Trans MOSFET N-CH 100V 55A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS

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