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TK58E06N1	文件：250.21 Kbytes Page：9 Pages	Switching Voltage Regulators 文件：250.21 Kbytes 页数：9 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
TK58E06N1	文件：338.31 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：338.31 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
TK58E06N1	文件：973.99 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel MOSFET uses advanced trench technology 文件：973.99 Kbytes 页数：4 Pages	DOINGTER 杜因特	DOINGTER
TK58E06N1	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFET (N-ch single 30V VDSS 60V) Application Scope：Switching regulators\nPolarity：N-ch\nGeneration：U-MOSⅧ-H\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Available\nAssembly bases：中国 Drain current ID 105 A \nPower Dissipation PD 110 W \nDrain-Source voltage VDSS 60 V \nGate-Source voltage VGSS +/-20 V ;	Toshiba 东芝	Toshiba

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更多TK58E06N1供应商更新时间2025-10-8 14:14:00