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TK56E12N1	文件：262.64 Kbytes Page：9 Pages	Switching Voltage Regulators 文件：262.64 Kbytes 页数：9 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
TK56E12N1	文件：327.95 Kbytes Page：2 Pages	Isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：327.95 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
TK56E12N1	文件：1.6155 Mbytes Page：4 Pages	N-Channel MOSFET uses advanced SGT technology 文件：1.6155 Mbytes 页数：4 Pages	DOINGTER 杜因特	DOINGTER
TK56E12N1	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFET (N-ch single 60V VDSS 150V) Application Scope：Switching regulators\nPolarity：N-ch\nGeneration：U-MOSⅧ-H\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Available\nAssembly bases：中国 Drain current ID 112 A \nPower Dissipation PD 168 W \nDrain-Source voltage VDSS 120 V \nGate-Source voltage VGSS +/-20 V ;	Toshiba 东芝	Toshiba

技术参数

Polarity：
N-ch
VDSS(V)：
120
VGSS(V)：
+/-20
ID(A)：
112
PD(W)：
168
Ciss(pF)：
4200
Qg(nC)：
69
=10V：
0.007
Number of pins：
3
Surface mount package：
N
Package name(Toshiba)：
TO-220
Generation：
U-MOSⅧ-H
Type：
High-speed switching
Width×Length×Height(mm)：
10.16 x 15.1 x 4.45
Package Size(mm^2)：
153.42
Drive voltage type：
10V Gate Drive

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更多TK56E12N1供应商更新时间2025-10-7 14:16:00

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