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TK50E06K3A数据手册分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个规格书PDF
TK50E06K3A规格书详情
描述 Description
Application Scope:Switching regulators
Polarity:N-ch
Generation:U-MOSⅣ
RoHS Compatible Product(s) (#):Available
特性 Features
Drain current ID 50 A
Power Dissipation PD 104 W
Drain-Source voltage VDSS 60 V
技术参数
- 产品编号:
TK50E06K3A,S1X(S
- 制造商:
Toshiba Semiconductor and Storage
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 单个
- 系列:
U-MOSIV
- 包装:
卷带(TR)
- FET 类型:
N 通道
- 技术:
MOSFET(金属氧化物)
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
50A(Tc)
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):
8.5 毫欧 @ 25A,10V
- 安装类型:
通孔
- 供应商器件封装:
TO-220-3
- 封装/外壳:
TO-220-3
- 描述:
MOSFET N-CH 60V 50A TO220-3
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
Toshiba Semiconductor and Stor |
2022+ |
TO-220-3 |
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TOSHIBA |
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TO-220SM |
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TOSHIBA |
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TO-220SM |
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Toshiba |
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