TK4P60D中文资料Power MOSFET (N-ch 500V VDSS 700V)数据手册Toshiba规格书
TK4P60D规格书详情
描述 Description
Polarity：N-ch
Generation：π-MOSⅦ
RoHS Compatible Product(s) (#)：Available
Assembly bases：中国
特性 Features
Drain current ID 4 A
Power Dissipation PD 100 W
Drain-Source voltage VDSS 600 V
Gate-Source voltage VGSS +/-30 V
技术参数
- 制造商编号
：TK4P60D
- 生产厂家
：Toshiba
- Polarity
：N-ch
- VDSS(V)
：600
- VGSS(V)
：+/-30
- ID(A)
：4.0
- PD(W)
：100
- Ciss(pF)
：600
- Qg(nC)
：12
- RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=10V
：1.7
- Number of pins
：3
- Surface mount package
：Y
- Package name(Toshiba)
：DPAK
- Generation
：π-MOSⅦ
- Width×Length×Height(mm)
：6.6 x 10.0 x 2.3
- Package Size(mm^2)
：66.00
- Drive voltage type
：10V Gate Drive
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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