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TK4A80E中文资料Power MOSFET (N-ch 700V VDSS)数据手册Toshiba规格书

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厂商型号

TK4A80E

功能描述

Power MOSFET (N-ch 700V VDSS)

制造商

Toshiba Toshiba Semiconductor

中文名称

东芝 株式会社东芝

数据手册

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更新时间

2025-9-23 15:01:00

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TK4A80E规格书详情

描述 Description

Application Scope:Switching regulators
Polarity:N-ch
Generation:π-MOSⅧ
RoHS Compatible Product(s) (#):Available
Assembly bases:中国

特性 Features

Drain current ID 4 A
Power Dissipation PD 35 W
Drain-Source voltage VDSS 800 V

技术参数

  • 制造商编号

    :TK4A80E

  • 生产厂家

    :Toshiba

  • Polarity

    :N-ch

  • VDSS(V)

    :800

  • VGSS(V)

    :+/-30

  • ID(A)

    :4.0

  • PD(W)

    :35

  • Ciss(pF)

    :650

  • Qg(nC)

    :15

  • RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=10V

    :3.5

  • Number of pins

    :3

  • Surface mount package

    :N

  • Package name(Toshiba)

    :TO-220SIS

  • Generation

    :π-MOSⅧ

  • Width×Length×Height(mm)

    :10.0 x 15.0 x 4.5

  • Package Size(mm^2)

    :150.00

  • Drive voltage type

    :10V Gate Drive

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
TOSHIBA(东芝)
25+
封装
500000
源自原厂成本,高价回收工厂呆滞
询价
TOSHIBA
20
询价
TOSHIBA
24+
con
20
现货常备产品原装可到京北通宇商城查价格
询价
Toshiba
2025+
TO-220-3
12420
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24+
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TOSHIBA(东芝)
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TO-220SIS-3
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三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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