TK50A04K3数据手册恩XP中文资料规格书
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描述 Description
MOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOSIV)
特性 Features
Low drain-source on-resistance: RDS(ON)= 2.7 mΩ(typ.) (VGS= 10 V)
(2) Low leakage current: IDSS= 10 µA (max) (VDS= 40 V)
(3) Enhancement mode: Vth= 3.0 to 4.0 V (VDS= 10 V, ID= 1 mA)Applications
• Automotive
• Motor Drivers
• Switching Voltage Regulators
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Toshiba Semiconductor and Stor |
2022+ |
TO-220-3 |
38550 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
TOSHIBA |
21+ |
TO-220F |
390 |
原装现货假一赔十 |
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TOSHIBA/东芝 |
24+ |
NA/ |
53250 |
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TOSHIBA |
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TO-220F |
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TOSHIBA |
15+ |
TO-220F |
202 |
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询价 | ||
TOS原装 |
25+23+ |
TO-220F |
24090 |
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TOSHIBA/东芝 |
23+ |
TO220F |
11200 |
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TOSHIBA/东芝 |
24+ |
TO-220F |
75000 |
原装现货假一赔十 |
询价 | ||
TOS原装 |
24+ |
TO-220F |
30980 |
原装现货/放心购买 |
询价 | ||
Toshiba |
25+ |
TO-TO-220AB |
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询价 |
