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TK50A04K3

MOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS??

文件:227.51 Kbytes 页数:9 Pages

TOSHIBA

东芝

TK50A04K3

Isc N-Channel MOSFET Transistor

文件:342.19 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

TK50A04K3

MOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOSIV)

MOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOSIV) \n Low drain-source on-resistance: RDS(ON)= 2.7 mΩ(typ.) (VGS= 10 V)\n(2) Low leakage current: IDSS= 10 µA (max) (VDS= 40 V)\n(3) Enhancement mode: Vth= 3.0 to 4.0 V (VDS= 10 V, ID= 1 mA)Applications\n• Automotive\n• Motor Drivers\n• Switching Voltage Regulators;

恩XP

恩XP

TK50A04K3

Power MOSFET (N-ch single 30V VDSS 60V)

Application Scope:Motor drivers / Switching regulators\nPolarity:N-ch\nGeneration:U-MOSⅣ\nRoHS Compatible Product(s) (#):Available\nAssembly bases:马来西亚 Drain current ID 50 A \nPower Dissipation PD 42 W \nDrain-Source voltage VDSS 40 V \nGate-Source voltage VGSS +/-20 V ;

Toshiba

东芝

技术参数

  • Polarity:

    N-ch

  • VDSS(V):

    40

  • VGSS(V):

    +/-20

  • ID(A):

    50

  • PD(W):

    42

  • Ciss(pF):

    4500

  • Qg(nC):

    102

  • =10V:

    0.0035

  • Number of pins:

    3

  • Surface mount package:

    N

  • Package name(Toshiba):

    TO-220SIS

  • Generation:

    U-MOSⅣ

  • Width×Length×Height(mm):

    10.0 x 15.0 x 4.5

  • Package Size(mm^2):

    150.00

  • Drive voltage type:

    10V Gate Drive

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更多TK50A04K3供应商 更新时间2025-11-30 17:57:00