TK4P60DA中文资料Power MOSFET (N-ch 500V VDSS 700V)数据手册Toshiba规格书
TK4P60DA规格书详情
描述 Description
Polarity:N-ch
Generation:π-MOSⅦ
RoHS Compatible Product(s) (#):Available
Assembly bases:中国
特性 Features
Drain current ID 3.5 A
Power Dissipation PD 80 W
Drain-Source voltage VDSS 600 V
Gate-Source voltage VGSS +/-30 V
技术参数
- 制造商编号
:TK4P60DA
- 生产厂家
:Toshiba
- Polarity
:N-ch
- VDSS(V)
:600
- VGSS(V)
:+/-30
- ID(A)
:3.5
- PD(W)
:80
- Ciss(pF)
:490
- Qg(nC)
:11
- RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=10V
:2.2
- Number of pins
:3
- Surface mount package
:Y
- Package name(Toshiba)
:DPAK
- Generation
:π-MOSⅦ
- Width×Length×Height(mm)
:6.6 x 10.0 x 2.3
- Package Size(mm^2)
:66.00
- Drive voltage type
:10V Gate Drive
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