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KSH2955	文件：49.56 Kbytes Page：5 Pages	GeneralPurposeAmplifierLowSpeedSwitchingApplicationsD-PAKforSurfaceMountApplications GeneralPurposeAmplifierLowSpeedSwitchingApplications D-PAKforSurfaceMountApplications •LeadFormedforSurfaceMountApplications(NoSuffix) •StraightLead(I-PAK,“-I“Suffix) •ElectricallySimilartoPopularKSE2955T •DCCurrentGainSpecifiedto10A •HighCurrentGain-	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
KSH2955	文件：55.05 Kbytes Page：5 Pages	GeneralPurposeAmplifierLowSpeedSwitchingApplicationsD-PAKforSurfaceMountApplications	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
KSH2955	文件：335.78 Kbytes Page：3 Pages	iscSiliconPNPPowerTransistor DESCRIPTION •HighDCcurrentgain •Leadformedforsurfacemountapplications(NOsuffix) •Straightlead(IPAK,“－I”suffix) •DPAKforsurfacemountapplications •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation APPLICATIONS •Gen	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
KSH2955	文件：277.98 Kbytes Page：2 Pages	SiliconPNPPowerTransistor DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage -V(BR)CEO=-60V(Min) ·Collector-EmitterSaturationVoltage -VCE(sat):=-1.1V(Max)@IC=-4A APPLICATIONS ·Lowfrequencyamplifier	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
KSH2955	文件：297.02 Kbytes Page：2 Pages	SiliconPNPPowerTransistor DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage -V(BR)CEO=-60V(Min) ·Collector-EmitterSaturationVoltage -VCE(sat):=-1.1V(Max)@IC=-4A APPLICATIONS ·Lowfrequencyamplifier	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
KSH2955TF	文件：55.05 Kbytes Page：5 Pages	GeneralPurposeAmplifierLowSpeedSwitchingApplicationsD-PAKforSurfaceMountApplications	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
KSMT2955P	文件：601.77 Kbytes Page：4 Pages	Excellentpackageforgoodheatdissipation.	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
KTB2955	文件：267.28 Kbytes Page：2 Pages	EPITAXIALPLANARPNPTRANSISTOR(HIGHPOWERAMPLIFIER) HIGHPOWERAMPLIFIERAPPLICATION. FEATURES •ComplementarytoKTD3055. •Recommendedfor30Wᴕ35WAudioFrequency AmplifierOutputStage.	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
KTB2955	文件：152.13 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconPNPPowerTransistor DESCRIPTION •Collector-EmitterBreakdownVoltage- :V(BR)CEO=-120V(Min) •ComplementtoTypeKTD3055 APPLICATIONS •Highpoweramplifierapplications •Recommendedfor30~35Waudiofrequencyamplifieroutputstageapplication.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
KXF2955	文件：2.13478 Mbytes Page：5 Pages	P-ChannelMOSFET	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN

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产品属性

产品编号：
TIP2955-S
制造商：
Bourns Inc.
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
管件
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
3V @ 3.3A，10A
电流 - 集电极截止（最大值）：
700µA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
20 @ 4A，4V
工作温度：
-65°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-218-3
供应商器件封装：
SOT-93
描述：
TRANS PNP 60V 15A SOT93

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司	TIP2955-S	Bourns Inc.	25+	TO-218-3	9350	独立分销商公司只做原装诚心经营免费试样正品保证	询价
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更多TIP2955-S供应商更新时间2025-5-20 15:01:00

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