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TIP31F	文件：200.14 Kbytes Page：4 Pages	POWER TRANSISTORS(3.0A,120-160V,40W) COMPLEMENTARY SILICON HIGH-POWER TRANSISTORS General Purpose-Amplifier and Switching Application .. 文件：200.14 Kbytes 页数：4 Pages	MOSPEC 统懋	MOSPEC
TIP31F	文件：247.15 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION • DC Current Gain -hFE = 25(Min)@ IC= 1A • Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR) CEO= 160V(Min) • Complement to Type TIP32F APPLICATIONS • Designed for use in general purpose amplifier and switching applications. 文件：247.15 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
TIP31F	文件：86.08 Kbytes Page：6 Pages	NPN SILICON POWER TRANSISTORS NPN SILICON POWER TRANSISTORS ● 40 W at 25°C Case Temperature ● 3 A Continuous Collector Current ● 5 A Peak Collector Current ● Customer-Specified Selections Available 文件：86.08 Kbytes 页数：6 Pages	POINN	POINN
TIP31F	文件：300 bytes Page：1 Pages	三极管	Mospec 统懋	Mospec
TIP31F-S	文件：300 bytes Page：1 Pages	TRANS NPN 160V 3A	Bourns 伯恩斯	Bourns
TIP31F-S	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-3；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 160V 3A TO220	Bourns Inc.	Bourns Inc.

晶体管资料

型号：
TIP31F
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
200V
最大电流允许值：
3A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
3DA27D,
最大耗散功率：
40W
放大倍数：
图片代号：
B-8
vtest：
200
htest：
999900
atest：
3
wtest：
40

技术参数

VCBO(V)：
160
VCEO(V)：
160
PD(W)：
40
PACKAGE：
TO-220
NPN：
TIP31F
PNP：
TIP32F
HFE(Min/Max)：
5.0
IC/VCE(A/V)：
3.0/4.0
VCE(SAT)(V)：
2.5
IC / IB(A/mA)：
3.0/750

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