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TIP115数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF

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厂商型号

TIP115

参数属性

TIP115 封装/外壳为TO-220-3;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP DARL 60V 2A TO220

功能描述

互补硅功率达林顿晶体管
TRANS PNP DARL 60V 2A TO220

封装外壳

TO-220-3

制造商

ST STMicroelectronics

中文名称

意法半导体 意法半导体集团

数据手册

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更新时间

2025-8-15 17:39:00

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TIP115规格书详情

描述 Description

The TIP110 and TIP112 are silicon Epitaxial-Base NPN transistors in monolithic Darlington configuration mounted in Jedec TO-220 plastic package. They are intented for use in medium power linear and switching applications.

The complementary PNP types are TIP115 and TIP117.

特性 Features

• STMicroelectronics PREFERRED SALESTYPES
• MONOLITHIC DARLINGTON CONFIGURATION
• COMPLEMENTARY PNP - NPN DEVICES
• INTEGRATED ANTIPARALLEL COLLECTOR-EMITTER DIODE

简介

TIP115属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的TIP115晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :TIP115

  • 生产厂家

    :ST

  • Marketing Status

    :Active

  • Grade

    :Industrial

  • Transistor Polarity

    :PNP

  • Collector-Emitter Voltage_max(V)

    :60

  • Collector-Base Voltage_max(V)

    :60

  • Collector Current_abs_max(A)

    :2

  • Dc Current Gain_min

    :1000

  • Test Condition for hFE (IC)

    :1

  • Test Condition for hFE (VCE)_spec(V)

    :4

  • VCE(sat)_max(V)

    :2.5

  • Test Condition for VCE(sat) - IC

    :2

  • Test Condition for VCE(sat) - IB_spec(mA)

    :8

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