TIP115数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF
TIP115规格书详情
描述 Description
The TIP110 and TIP112 are silicon Epitaxial-Base NPN transistors in monolithic Darlington configuration mounted in Jedec TO-220 plastic package. They are intented for use in medium power linear and switching applications.
The complementary PNP types are TIP115 and TIP117.
特性 Features
• STMicroelectronics PREFERRED SALESTYPES
• MONOLITHIC DARLINGTON CONFIGURATION
• COMPLEMENTARY PNP - NPN DEVICES
• INTEGRATED ANTIPARALLEL COLLECTOR-EMITTER DIODE
简介
TIP115属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的TIP115晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。
技术参数
更多- 制造商编号
:TIP115
- 生产厂家
:ST
- Marketing Status
:Active
- Grade
:Industrial
- Transistor Polarity
:PNP
- Collector-Emitter Voltage_max(V)
:60
- Collector-Base Voltage_max(V)
:60
- Collector Current_abs_max(A)
:2
- Dc Current Gain_min
:1000
- Test Condition for hFE (IC)
:1
- Test Condition for hFE (VCE)_spec(V)
:4
- VCE(sat)_max(V)
:2.5
- Test Condition for VCE(sat) - IC
:2
- Test Condition for VCE(sat) - IB_spec(mA)
:8
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