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TIP112中文资料TIP112: NPN Epitaxial Silicon Darlington Transistor数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

TIP112

参数属性

TIP112 封装/外壳为TO-220-3;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN DARL 100V 2A TO220-3

功能描述

TIP112: NPN Epitaxial Silicon Darlington Transistor
TRANS NPN DARL 100V 2A TO220-3

封装外壳

TO-220-3

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2026-1-24 15:19:00

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晶体管资料

  • 型号:

    TIP112

  • 别名:

    TIP112三极管、TIP112晶体管、TIP112晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-N+Darl+Di

  • 性质:

    低频或音频放大 (LF)_开关管 (S)_功率放大 (L

  • 封装形式:

    直插封装

  • 极限工作电压:

    100V

  • 最大电流允许值:

    4A

  • 最大工作频率:

    <1MHZ或未知

  • 引脚数:

    3

  • 可代换的型号:

    BD265B,BD701,BDW23C,BDW53C,BDW63C,

  • 最大耗散功率:

    50W

  • 放大倍数:

    β>1000

  • 图片代号:

    B-10

  • vtest:

    100

  • htest:

    999900

  • atest:

    4

  • wtest:

    50

TIP112规格书详情

描述 Description

TIP112

特性 Features

具有内置基极-发射极分流电阻的单片架构
TIP115/116/117的补充器件
高DC电流增益:hFE= 1000 @ VCE= 4 V,IC= 1 A(最小值)
低集电极-发射极饱和电压
工业用途

应用 Application

This product is general usage and suitable for many different applications.

简介

TIP112属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由ONSEMI制造生产的TIP112晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :TIP112

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Compliance

    :Pb-free

  • Status

    : Active  

  • Description

    : NPN Epitaxial Silicon Darlington Transistor 

  • Polarity

    :NPN

  • Type

    :General Purpose

  • VCE(sat) Max (V)

    :Condition: IC = 2 A

  • IC Cont. (A)

    :2

  • VCEO Min (V)

    :100

  • VCBO (V)

    :100

  • VEBO (V)

    :5

  • VBE(sat) (V)

    :-

  • VBE(on) (V)

    :Condition: IC = 2 A

  • hFE Min

    :Condition: IC = 2 A

  • hFE Max

    :-

  • fT Min (MHz)

    :-

  • PTM Max (W)

    :2

  • Package Type

    :TO-220-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
CJ/长电
24+
84000
只做原装进口现货
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ST/意法
22+
TO-220AB
14100
原装正品
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25+
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24+
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TO220
60000
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ST/意法
22+
N/A
20000
只做原装 品质保障
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BOURNS/伯恩斯
25+
DIP
11093
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2022+
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ST(意法半导体)
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TO-220
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