TIP112数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF
| 厂商型号 |
TIP112 |
| 参数属性 | TIP112 封装/外壳为TO-220-3；包装为管件；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS NPN DARL 100V 2A TO220-3 |
| 功能描述 | TIP112: NPN Epitaxial Silicon Darlington Transistor |
| 封装外壳 | TO-220-3 |
| 制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
| 中文名称 | 安森美半导体 安森美半导体公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-15 17:39:00 |
| 人工找货 | TIP112价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
TIP112规格书详情
描述 Description
TIP112
特性 Features
具有内置基极-发射极分流电阻的单片架构
TIP115/116/117的补充器件
高DC电流增益：hFE= 1000 @ VCE= 4 V，IC= 1 A（最小值）
低集电极-发射极饱和电压
工业用途
应用 Application
This product is general usage and suitable for many different applications.
简介
TIP112属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个。由制造生产的TIP112晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。
技术参数
更多- 制造商编号
：TIP112
- 生产厂家
：ONSEMI
- Compliance
：Pb-free
- Status
： Active
- Description
： NPN Epitaxial Silicon Darlington Transistor
- Polarity
：NPN
- Type
：General Purpose
- VCE(sat) Max (V)
：Condition: IC = 2 A
- IC Cont. (A)
：2
- VCEO Min (V)
：100
- VCBO (V)
：100
- VEBO (V)
：5
- VBE(sat) (V)
：-
- VBE(on) (V)
：Condition: IC = 2 A
- hFE Min
：Condition: IC = 2 A
- hFE Max
：-
- fT Min (MHz)
：-
- PTM Max (W)
：2
- Package Type
：TO-220-3
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