TIP111中文资料NPN外延硅达林顿晶体管数据手册ONSEMI规格书
TIP111规格书详情
特性 Features
• 具有内置基极-发射极分流电阻的单片架构
•TIP115/116/117的补充器件
•高DC电流增益：hFE= 1000 @ VCE= 4 V，IC= 1 A（最小值）
•低集电极-发射极饱和电压
•工业用途
应用 Application
• This product is general usage and suitable for many different applications.
简介
TIP111属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个。由制造生产的TIP111晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。
技术参数
更多- 制造商编号
：TIP111
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Status
：Active
- Polarity
：NPN
- Type
：General Purpose
- VCE(sat) Max (V)
：2.5
- IC Cont. (A)
：2
- VCEO Min (V)
：80
- VCBO (V)
：80
- VEBO (V)
：5
- VBE(sat) (V)
：-
- VBE(on) (V)
：2.8
- hFE Min
：500
- hFE Max
：-
- fT Min (MHz)
：-
- PTM Max (W)
：2
- Package Type
：TO-220-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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