TIP112中文资料100V,2A,Medium Power NPN Bipolar Transistor数据手册Galaxy规格书

| 厂商型号 |
TIP112 |
| 参数属性 | TIP112 封装/外壳为TO-220-3;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN DARL 100V 2A TO220-3 |
| 功能描述 | 100V,2A,Medium Power NPN Bipolar Transistor |
| 封装外壳 | TO-220-3 |
| 制造商 | Galaxy CHANGZHOU GALAXY CENTURY MICROELECTRONICS CO.,LTD. |
| 中文名称 | 银河微电 常州银河世纪微电子股份有限公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-11-18 23:00:00 |
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技术参数
- 制造商编号
:TIP112
- 生产厂家
:Galaxy
- V(BR)CEO_Min_(V)
:100
- IC_(A)
:2
- hFE _Min
:1000
- hFE _Max
:12000
- VCE_(V)
:3
- IC_(mA)
:2000
- VCE(sat)(V)
:3
- IC_(mA)1
:4000
- IB_(mA)
:40
- fT _Min _(MHz)
:25
- PTM _Max_(W)
:2
- Package_Outlines
:TO-220AB
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST(意法半导体) |
24+ |
TO-220 |
942 |
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询价 | ||
ST/意法 |
24+ |
NA/ |
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ST |
23+ |
TO-220 |
20000 |
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CENTRALSE |
22+ |
TO-220 |
100000 |
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25+ |
TO220 |
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询价 | ||
ST/意法 |
24+ |
TO220ROHS |
990000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
ST/意法 |
25+ |
TO-220 |
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ST |
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TO-220 |
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21+ |
TO220 |
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询价 | |||
ST |
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