TIP112中文资料100V,2A,Medium Power NPN Bipolar Transistor数据手册Galaxy规格书
| 厂商型号 |
TIP112 |
| 参数属性 | TIP112 封装/外壳为TO-220-3；包装为管件；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS NPN DARL 100V 2A TO220-3 |
| 功能描述 | 100V,2A,Medium Power NPN Bipolar Transistor |
| 封装外壳 | TO-220-3 |
| 制造商 | Galaxy CHANGZHOU GALAXY CENTURY MICROELECTRONICS CO.,LTD. |
| 中文名称 | 银河微电 常州银河世纪微电子股份有限公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2026-1-24 10:12:00 |
| 人工找货 | TIP112价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
晶体管资料
- 型号：
- 别名：
TIP112三极管、TIP112晶体管、TIP112晶体三极管
- 生产厂家：
- 制作材料：
Si-N+Darl+Di
- 性质：
低频或音频放大 （LF）_开关管 （S）_功率放大 （L
- 封装形式：
直插封装
- 极限工作电压：
100V
- 最大电流允许值：
4A
- 最大工作频率：
<1MHZ或未知
- 引脚数：
3
- 可代换的型号：
BD265B,BD701,BDW23C,BDW53C,BDW63C,
- 最大耗散功率：
50W
- 放大倍数：
β>1000
- 图片代号：
B-10
- vtest：
100
- htest：
999900
- atest：
4
- wtest：
50
技术参数
- 制造商编号
：TIP112
- 生产厂家
：Galaxy
- V(BR)CEO_Min_(V)
：100
- IC_(A)
：2
- hFE _Min
：1000
- hFE _Max
：12000
- VCE_(V)
：3
- IC_(mA)
：2000
- VCE(sat)(V)
：3
- IC_(mA)1
：4000
- IB_(mA)
：40
- fT _Min _(MHz)
：25
- PTM _Max_(W)
：2
- Package_Outlines
：TO-220AB
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
三星 |
25+ |
TO-220 |
5000 |
普通 |
询价 | ||
ST |
17792 |
只做正品 |
询价 | ||||
22+ |
NA |
2742 |
加我QQ或微信咨询更多详细信息, |
询价 | |||
STMicroelectronics |
24+ |
NA |
3000 |
进口原装正品优势供应 |
询价 | ||
24+ |
N/A |
64000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
询价 | |||
ST/意法 |
2022+ |
TO-220 |
21969 |
原厂代理 终端免费提供样品 |
询价 | ||
鑫远鹏 |
25+ |
NA |
5000 |
价优秒回原装现货 |
询价 | ||
长晶 |
2023 |
TO-220-3L |
1945 |
询价 | |||
ST |
23+ |
TO-220 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
ST原装 |
24+ |
TO-220 |
30980 |
原装现货/放心购买 |
询价 |
