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TIP112 TIN/LEAD

Package:TO-220-3;包装:带盒(TB) 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS NPN DARL 100V TO220-3

Central

TIP112-BP

Silicon NPN Darlington Power Transistor

Features • Halogen free available upon request by adding suffix -HF • The complementary PNP types are the TIP115/116/117 respectively • Lead Free Finish/RoHS Compliant (Note1) (P Suffix designates RoHS Compliant. See ordering information) • Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating • Mois

文件:149.35 Kbytes 页数:2 Pages

MCC

TIP112F

EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (MONOLITHIC CONSTRUCTION WITH BUILT IN BASE-EMITTER SHUNT RESISTORS INDUSTRIAL USE.)

MONOLITHIC CONSTRUCTION WITH BUILT IN BASE-EMITTER SHUNT RESISTORS INDUSTRIAL USE. FEATURES • High DC Current Gain. : hFE=1000(Min.), VCE=4V, IC=1A. • Low Collector-Emitter Saturation Voltage. • Complementary to TIP117F.

文件:41.37 Kbytes 页数:2 Pages

KEC

KEC(Korea Electronics)

TIP112F

EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR

文件:450.47 Kbytes 页数:2 Pages

KEC

KEC(Korea Electronics)

产品属性

  • 产品编号:

    TIP112 TIN/LEAD

  • 制造商:

    Central Semiconductor Corp

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    带盒(TB)

  • 晶体管类型:

    NPN - 达林顿

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    2.5V @ 8mA,2A

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    1000 @ 1A,4V

  • 频率 - 跃迁:

    25MHz

  • 工作温度:

    -65°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3

  • 供应商器件封装:

    TO-220-3

  • 描述:

    TRANS NPN DARL 100V TO220-3

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
ST/意法
23+
TO-220
50000
全新原装正品现货,支持订货
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NA/
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TO-220
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只做原装现货
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TO220
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原装进口正口,支持样品
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TO-220
60000
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更多TIP112 TIN/LEAD供应商 更新时间2025-10-5 11:00:00