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TIP112-BP

Silicon NPN Darlington Power Transistor

Features • Halogen free available upon request by adding suffix -HF • The complementary PNP types are the TIP115/116/117 respectively • Lead Free Finish/RoHS Compliant (Note1) (P Suffix designates RoHS Compliant. See ordering information) • Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating • Mois

文件:149.35 Kbytes 页数:2 Pages

MCC

TIP112-BP

Package:TO-220-3;包装:卷带(TR) 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS NPN DARL 100V 2A TO220AB

MCC

TIP112F

EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (MONOLITHIC CONSTRUCTION WITH BUILT IN BASE-EMITTER SHUNT RESISTORS INDUSTRIAL USE.)

MONOLITHIC CONSTRUCTION WITH BUILT IN BASE-EMITTER SHUNT RESISTORS INDUSTRIAL USE. FEATURES • High DC Current Gain. : hFE=1000(Min.), VCE=4V, IC=1A. • Low Collector-Emitter Saturation Voltage. • Complementary to TIP117F.

文件:41.37 Kbytes 页数:2 Pages

KEC

KEC(Korea Electronics)

TIP112F

EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR

文件:450.47 Kbytes 页数:2 Pages

KEC

KEC(Korea Electronics)

TIP112G

Plastic Medium-Power Complementary Silicon Transistors

文件:99.95 Kbytes 页数:8 Pages

ONSEMI

安森美半导体

产品属性

  • 产品编号:

    TIP112-BP

  • 制造商:

    Micro Commercial Co

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 晶体管类型:

    NPN - 达林顿

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    2.5V @ 8mA,2A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    2mA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    1000 @ 1A,4V

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3

  • 供应商器件封装:

    TO-220AB

  • 描述:

    TRANS NPN DARL 100V 2A TO220AB

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
MCC
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更多TIP112-BP供应商 更新时间2025-10-6 15:30:00