TIP112 TIN/LEAD_分立半导体产品晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个-CENTRAL

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1300+	¥5.03435

厂家型号：
TIP112 TIN/LEAD
制造商：
CENTRAL/美国中央半导体
库存数量：
0
类别：
分立半导体产品晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个
封装外壳：
TO-220-3
包装：
带盒（TB）
安装类型：
通孔
更新时间：
2024-5-25 11:00:00

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原厂料号：TIP112 TIN/LEAD品牌：Central Semiconductor Corp

资料说明：TRANS NPN DARL 100V TO220-3

TIP112 TIN/LEAD是分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个。制造商CENTRAL/美国中央半导体生产封装TO-220-3的TIP112 TIN/LEAD晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。

芯片型号：
tip112%20tin/lead
规格书：
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企业简称：
CENTRAL详情
厂商全称：
Central Semiconductor Corp
中文名称：
美国中央半导体
资料说明：
TRANS NPN DARL 100V TO220-3

产品属性

类型
描述
产品编号：
TIP112 TIN/LEAD
制造商：
Central Semiconductor Corp
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
带盒（TB）
晶体管类型：
NPN - 达林顿
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
2.5V @ 8mA，2A
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
1000 @ 1A，4V
频率 - 跃迁：
25MHz
工作温度：
-65°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3
供应商器件封装：
TO-220-3
描述：
TRANS NPN DARL 100V TO220-3

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