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TIP105PNP	文件：320.51 Kbytes Page：3 Pages	PLASTIC POWER TRANSISTORS PLASTIC POWER TRANSISTORS Intended for use in Linear Switching Applications 文件：320.51 Kbytes 页数：3 Pages	CDIL	CDIL
TIP105TU	文件：550.61 Kbytes Page：5 Pages	PNP Epitaxial Silicon Darlington Transistor Monolithic Construction With Built In Base Emitter Shunt Resistors • High DC Current Gain : hFE=1000 @ VCE= -4V, IC= -3A (Min.) • Collector-Emitter Sustaining Voltage • Low Collector-Emitter Saturation Voltage • Industrial Use • Complementary to TIP100/101/102 文件：550.61 Kbytes 页数：5 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
TIP106	文件：218.99 Kbytes Page：6 Pages	DARLINGTON COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS Plastic Medium−Power Complementary Silicon Transistors Designed for general−purpose amplifier and low−speed switching applications. Features •High DC Current Gain −hFE = 2500 (Typ) @ IC= 4.0 Adc •Collector−Emitter Sustaining Voltage − @ 30 mAdc VCEO(sus)= 60 Vdc (Min) − 文件：218.99 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
TIP106	文件：26.06 Kbytes Page：2 Pages	Power Darlingtons for Linear and Switching Applications TIP100, 101, 102 NPN PLASTIC POWER TRANSISTORS TIP105, 106, 107 PNP PLASTIC POWER TRANSISTORS Power Darlingtons for Linear and Switching Applications 文件：26.06 Kbytes 页数：2 Pages	BOCA 博卡	BOCA
TIP106	文件：50.15 Kbytes Page：4 Pages	Monolithic Construction With Built In Base- Emitter Shunt Resistors Monolithic Construction With Built In Base Emitter Shunt Resistors • High DC Current Gain : hFE=1000 @ VCE= -4V, IC= -3A (Min.) • Collector-Emitter Sustaining Voltage • Low Collector-Emitter Saturation Voltage • Industrial Use • Complementary to TIP100/101/102 文件：50.15 Kbytes 页数：4 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
TIP106	文件：550.61 Kbytes Page：5 Pages	PNP Epitaxial Silicon Darlington Transistor Monolithic Construction With Built In Base Emitter Shunt Resistors • High DC Current Gain : hFE=1000 @ VCE= -4V, IC= -3A (Min.) • Collector-Emitter Sustaining Voltage • Low Collector-Emitter Saturation Voltage • Industrial Use • Complementary to TIP100/101/102 文件：550.61 Kbytes 页数：5 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
TIP106	文件：550.61 Kbytes Page：5 Pages	PNP Epitaxial Silicon Darlington Transistor Monolithic Construction With Built In Base Emitter Shunt Resistors • High DC Current Gain : hFE=1000 @ VCE= -4V, IC= -3A (Min.) • Collector-Emitter Sustaining Voltage • Low Collector-Emitter Saturation Voltage • Industrial Use • Complementary to TIP100/101/102 文件：550.61 Kbytes 页数：5 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
TIP106	文件：320.51 Kbytes Page：3 Pages	PLASTIC POWER TRANSISTORS PLASTIC POWER TRANSISTORS Intended for use in Linear Switching Applications 文件：320.51 Kbytes 页数：3 Pages	CDIL	CDIL
TIP106	文件：200.04 Kbytes Page：4 Pages	POWER TRANSISTORS(8A,60-100V,80W) 8 Ampere DARLINGTON COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS 60-100 VOLTS 80 WATTS TIP100,TIP101,TIP102 --> NPN TIP105,TIP106,TIP107 --> PNP 文件：200.04 Kbytes 页数：4 Pages	MOSPEC 统懋	MOSPEC
TIP106	文件：218.99 Kbytes Page：6 Pages	DARLINGTON 8 AMPERE COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS DARLINGTON 8 AMPERE COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS 60– 80– 100 VOLTS 80 WATTS . . . designed for general–purpose amplifier and low–speed switching applications. • High DC Current Gain —hFE= 2500 (Typ) @ IC= 4.0 Adc • Collector–Emitter Sustaining Voltage — @ 30 mAdc 文件：218.99 Kbytes 页数：6 Pages	MOTOROLA 摩托罗拉	MOTOROLA

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晶体管资料

型号：
TIP04
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
开关管（S）_功率放大（L）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
300V
最大电流允许值：
2.5A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
2
可代换的型号：
BU126,BU211,BUY23A,BUY75,3DK305G,
最大耗散功率：
65W
放大倍数：
图片代号：
E-44
vtest：
300
htest：
999900
atest：
2.5
wtest：
65

技术参数

Pb-free：
Pb
Status：
Active
Polarity：
NPN
IC Continuous (A)：
8
V(BR)CEO Min (V)：
60
VCE(sat) Max (V)：
2
hFE Min (k)：
1
hFE Max (k)：
20
fT Min (MHz)：
4
Package Type：
TO-220-3

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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