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TIP106	文件：218.99 Kbytes Page：6 Pages	DARLINGTON 8 AMPERE COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS DARLINGTON8AMPERECOMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS60–80–100VOLTS 80WATTS ...designedforgeneral–purposeamplifierandlow–speedswitchingapplications. •HighDCCurrentGain—hFE=2500(Typ)@IC=4.0Adc •Collector–EmitterSustainingVoltage—@30mAdc	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
TIP106	文件：218.99 Kbytes Page：6 Pages	DARLINGTON COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS PlasticMedium−PowerComplementarySiliconTransistors Designedforgeneral−purposeamplifierandlow−speedswitchingapplications. Features •HighDCCurrentGain−hFE=2500(Typ)@IC=4.0Adc •Collector−EmitterSustainingVoltage−@30mAdc VCEO(sus)=60Vdc(Min)−	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
TIP106	文件：152.94 Kbytes Page：6 Pages	PNP SILICON POWER DARLINGTONS ●DesignedforComplementaryUsewithTIP100,TIP101andTIP102 ●80Wat25°CCaseTemperature ●8AContinuousCollectorCurrent ●MaximumVCE(sat)of2.5VatIC=8A	POINN Power Innovations Ltd	POINN
TIP106	文件：200.04 Kbytes Page：4 Pages	POWER TRANSISTORS(8A,60-100V,80W) 8AmpereDARLINGTONCOMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS60-100VOLTS80WATTS TIP100,TIP101,TIP102-->NPN TIP105,TIP106,TIP107-->PNP	MOSPECMospec Semiconductor 统懋统懋半导体股份有限公司	MOSPEC
TIP106	文件：763.31 Kbytes Page：5 Pages	PNP SILICON POWER DARLINGTONS TIP100,TIP101,TIP102-->NPN TIP105,TIP106,TIP107-->PNP	TRSYS Transys Electronics	TRSYS
TIP106	文件：50.15 Kbytes Page：4 Pages	Monolithic Construction With Built In Base- Emitter Shunt Resistors MonolithicConstructionWithBuiltInBaseEmitterShuntResistors •HighDCCurrentGain:hFE=1000@VCE=-4V,IC=-3A(Min.) •Collector-EmitterSustainingVoltage •LowCollector-EmitterSaturationVoltage •IndustrialUse •ComplementarytoTIP100/101/102	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
TIP106	文件：26.06 Kbytes Page：2 Pages	Power Darlingtons for Linear and Switching Applications TIP100,101,102NPNPLASTICPOWERTRANSISTORS TIP105,106,107PNPPLASTICPOWERTRANSISTORS PowerDarlingtonsforLinearandSwitchingApplications	bocaBoca Semiconductor Corporation 博卡博卡半导体公司	boca
TIP106	文件：75.05 Kbytes Page：2 Pages	PLASTIC POWER TRANSISTORS PLASTICPOWERTRANSISTORS IntendedforuseinLinearSwitchingApplications	TELTokyo Electron Ltd. 东电电子东京电子有限公司	TEL
TIP106	文件：93.61 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Darlington Power Transistors DESCRIPTION •WithTO-220Cpackage •DARLINGTON •HighDCcurrentgain •Lowcollectorsaturationvoltage •ComplementtotypeTIP100/101/102 APPLICATIONS •Forindustrialuse	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC
TIP106	文件：107.41 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon PNP Darlington Power Transistor DESCRIPTION •HighDCCurrentGain-:hFE=1000(Min)@IC=-3A •Collector-EmitterSustainingVoltage-:VCEO(SUS)=-80V(Min) •LowCollector-EmitterSaturationVoltage-:VCE(sat)=-2.0V(Max)@IC=-3A =	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

产品属性

产品编号：
TIP106
制造商：
Central Semiconductor Corp
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
散装
晶体管类型：
PNP - 达林顿
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
2.5V @ 80mA，8A
电流 - 集电极截止（最大值）：
50µA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
1000 @ 3A，4V
频率 - 跃迁：
4MHz
工作温度：
-65°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3
供应商器件封装：
TO-220-3
描述：
TRANS PNP DARL 80V 8A TO220-3

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