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TIP106PNP

PLASTIC POWER TRANSISTORS

PLASTIC POWER TRANSISTORS Intended for use in Linear Switching Applications

文件:320.51 Kbytes 页数:3 Pages

CDIL

TIP106_10

Monolithic Construction With Built In Base-Emitter Shunt Resistors

文件:750.33 Kbytes 页数:5 Pages

SEMIHOW

TIP106G

Plastic Medium?뭁ower Complementary Silicon Transistors

文件:87.6 Kbytes 页数:7 Pages

ONSEMI

安森美半导体

TIP106G

Plastic Medium-Power Complementary Silicon Transistors

文件:138.03 Kbytes 页数:7 Pages

ONSEMI

安森美半导体

TIP106G

Package:TO-220-3;包装:散装 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS PNP DARL 80V 8A TO220

ONSEMI

安森美半导体

晶体管资料

  • 型号:

    TIP106

  • 别名:

    三极管、晶体管、晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-P+Darl+Di

  • 性质:

    低频或音频放大 (LF)_功率放大 (L)_开关管 (S

  • 封装形式:

    直插封装

  • 极限工作电压:

    80V

  • 最大电流允许值:

    8A

  • 最大工作频率:

    <1MHZ或未知

  • 引脚数:

    3

  • 可代换的型号:

    BD646,BD898,BDW74A...D,BDX54A...F,3CA10,

  • 最大耗散功率:

    80W

  • 放大倍数:

    β>1000

  • 图片代号:

    B-10

  • vtest:

    80

  • htest:

    999900

  • atest:

    8

  • wtest:

    80

产品属性

  • 产品编号:

    TIP106

  • 制造商:

    Central Semiconductor Corp

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    散装

  • 晶体管类型:

    PNP - 达林顿

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    2.5V @ 80mA,8A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    50µA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    1000 @ 3A,4V

  • 频率 - 跃迁:

    4MHz

  • 工作温度:

    -65°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3

  • 供应商器件封装:

    TO-220-3

  • 描述:

    TRANS PNP DARL 80V 8A TO220-3

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多TIP106供应商 更新时间2025-12-21 23:01:00