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TIP106分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

TIP106
厂商型号

TIP106

参数属性

TIP106 封装/外壳为TO-220-3;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP DARL 80V 8A TO220-3

功能描述

DARLINGTON 8 AMPERE COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS

封装外壳

TO-220-3

文件大小

218.99 Kbytes

页面数量

6

生产厂商 Motorola, Inc
企业简称

Motorola摩托罗拉

中文名称

加尔文制造公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-5-25 10:07:00

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晶体管资料

  • 型号:

    TIP106

  • 别名:

    TIP106三极管、TIP106晶体管、TIP106晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-P+Darl+Di

  • 性质:

    低频或音频放大 (LF)_功率放大 (L)_开关管 (S

  • 封装形式:

    直插封装

  • 极限工作电压:

    80V

  • 最大电流允许值:

    8A

  • 最大工作频率:

    <1MHZ或未知

  • 引脚数:

    3

  • 可代换的型号:

    BD646,BD898,BDW74A...D,BDX54A...F,3CA10,

  • 最大耗散功率:

    80W

  • 放大倍数:

    β>1000

  • 图片代号:

    B-10

  • vtest:

    80

  • htest:

    999900

  • atest:

    8

  • wtest:

    80

TIP106规格书详情

DARLINGTON 8 AMPERE COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS 60– 80– 100 VOLTS

80 WATTS

. . . designed for general–purpose amplifier and low–speed switching applications.

• High DC Current Gain —hFE= 2500 (Typ) @ IC= 4.0 Adc

• Collector–Emitter Sustaining Voltage — @ 30 mAdc

VCEO(sus)= 60 Vdc (Min) — TIP100, TIP105

VCEO(sus) = 80 Vdc (Min) — TIP101, TIP106

VCEO(sus) = 100 Vdc (Min) — TIP102, TIP107

• Low Collector–Emitter Saturation Voltage —

VCE(sat)= 2.0 Vdc (Max) @ IC= 3.0 Adc

VCE(sat) = 2.5 Vdc (Max) @ IC= 8.0 Adc

• Monolithic Construction with Built–in Base–Emitter Shunt Resistors

• TO–220AB Compact Package

产品属性

  • 产品编号:

    TIP106

  • 制造商:

    Central Semiconductor Corp

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    散装

  • 晶体管类型:

    PNP - 达林顿

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    2.5V @ 80mA,8A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    50µA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    1000 @ 3A,4V

  • 频率 - 跃迁:

    4MHz

  • 工作温度:

    -65°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3

  • 供应商器件封装:

    TO-220-3

  • 描述:

    TRANS PNP DARL 80V 8A TO220-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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