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TIP117

POWERTRANSISTORS(2.0A,60-100V,50W)

MOSPECMospec Semiconductor

统懋统懋半导体股份有限公司

TIP117

PNPSILICONPOWERDARLINGTONS

PLASTICPOWERTRANSISTORS IntendedforuseinMediumPowerLinearandSwitchingApplications

TRSYS

Transys Electronics

TIP117

PlasticMedium-PowerComplementarySiliconTransistors

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

TIP117

PLASTICPOWERTRANSISTORS

PLASTICPOWERTRANSISTORS IntendedforuseinMediumPowerLinearandSwitchingApplications TO-220PlasticPackage

TELTokyo Electron Ltd.

东电电子东京电子有限公司

TIP117

PNPEpitaxialSiliconDarlingtonTransistors

Features •HighDCCurrentGain:hFE=1000@VCE=4.0V,IC=1.0A(Min.) •LowCollector-EmitterSaturationVoltage •ComplementarytoTIP110/111/112 •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(Note1)(PSuffixdesignatRoHSCompliant.Seeorderinginformation) •EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating

MCCMicro Commercial Components

美微科美微科半导体股份有限公司

TIP117

TO-220-PowerTransistorsandDarlingtons

RECTRON

Rectron Semiconductor

TIP117

COMPLEMENTARYSILICONPOWERDARLINGTONTRANSISTORS

DESCRIPTION TheTIP110andTIP112aresiliconEpitaxial-BaseNPNtransistorsinmonolithicDarlingtonconfigurationmountedinJedecTO-220plasticpackage.Theyareintentedforuseinmediumpowerlinearandswitchingapplications. ThecomplementaryPNPtypesareTIP115andTIP117. ■STMicroe

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体集团

TIP117

EPITAXIALPLANARPNPTRANSISTOR(MONOLITHICCONSTRUCTIONWITHBUILTINBASE-EMITTERSHUNTRESISTORSINDUSTRIALUSE.)

MONOLITHICCONSTRUCTIONWITHBUILTIN BASE-EMITTERSHUNTRESISTORSINDUSTRIALUSE. FEATURES •HighDCCurrentGain. :hFE=1000(Min.),@VCE=-4V,IC=-1A. •LowCollector-EmitterSaturationVoltage. •ComplementarytoTIP112.

KECKEC CORPORATION

KEC株式会社

TIP117

SiliconPNPDarlingtonPowerTransistors

DESCRIPTION •WithTO-220Cpackage •DARLINGTON •HighDCcurrentgain •Lowcollectorsaturationvoltage •ComplementtotypeTIP110/111/112 APPLICATIONS •Forindustrialuse

SAVANTIC

Savantic, Inc.

TIP117

PNPEpitaxialSiliconDarlingtonTransistors

MCCMicro Commercial Components

美微科美微科半导体股份有限公司

详细参数

  • 型号:

    TIL117S(TB)

  • 功能描述:

    晶体管输出光电耦合器 Optocouplers

  • RoHS:

  • 制造商:

    Vishay Semiconductors

  • 输入类型:

    DC

  • 最大集电极/发射极电压:

    70 V

  • 最大集电极/发射极饱和电压:

    0.4 V

  • 绝缘电压:

    5300 Vrms

  • 电流传递比:

    100 % to 200 %

  • 最大正向二极管电压:

    1.65 V

  • 最大输入二极管电流:

    60 mA

  • 最大集电极电流:

    100 mA

  • 最大功率耗散:

    100 mW

  • 最大工作温度:

    + 110 C

  • 最小工作温度:

    - 55 C

  • 封装/箱体:

    DIP-4

  • 封装:

    Bulk

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多TIL117S(TB)供应商 更新时间2025-6-26 18:51:00