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TIP117	文件：214.53 Kbytes Page：2 Pages	PNPTransistorBareDie Features Collectorcurrentupto2A LowVCE(sat) VeryhighhFE Solderablebackmetal HighReliabilitytestedgradesforMilitary+Space	SS Silicon Supplies	SS
TIP117F	文件：42.02 Kbytes Page：2 Pages	EPITAXIALPLANARPNPTRANSISTOR(MONOLITHICCONSTRUCTIONWITHBUILTINBASE-EMITTERSHUNTRESISTORSINDUSTRIALUSE.) MONOLITHICCONSTRUCTIONWITHBUILTINBASE-EMITTERSHUNTRESISTORSINDUSTRIALUSE. FEATURES •HighDCCurrentGain. :hFE=1000(Min.),VCE=-4V,IC=-1A. •LowCollector-EmitterSaturationVoltage. •ComplementarytoTIP112F.	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
TIP117F	文件：462.65 Kbytes Page：2 Pages	EPITAXIALPLANARPNPTRANSISTOR	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
TIP117G	文件：99.95 Kbytes Page：8 Pages	PlasticMedium-PowerComplementarySiliconTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
TIP117G	文件：148.66 Kbytes Page：8 Pages	PlasticMedium-PowerComplementarySiliconTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
TIP117PNP	文件：271.16 Kbytes Page：3 Pages	PLASTICPOWERTRANSISTORS IntendedforuseinMediumPowerLinearandSwitchingApplications	CDIL Continental Device India Limited	CDIL
TIPP117	文件：87.67 Kbytes Page：6 Pages	PNPSILICONPOWERDARLINGTONS PRODUCTINFORMATION Informationiscurrentasofpublicationdate.ProductsconformtospecificationsinaccordancewiththetermsofPowerInnovationsstandardwarranty.Productionprocessingdoesnotnecessarilyincludetestingofallparameters. ●20WPulsedPowerDissipation ●100VCapabi	POINN Power Innovations Ltd	POINN
TIPP117	文件：555.65 Kbytes Page：5 Pages	PNPSILICONPOWERDARLINGTONS ●20WPulsedPowerDissipation ●100VCapability ●2AContinuousCollectorCurrent ●4APeakCollectorCurrent	TRSYS Transys Electronics	TRSYS
TLN117	文件：211.39 Kbytes Page：5 Pages	INFRAREDLEDGAASINFRAEDEMITTER	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TLN117	文件：245.23 Kbytes Page：5 Pages	TOSHIBAINFRAREDLEDGAASINFRAEDEMITTER Lead(Pb)-Free Opto−ElectoronicSwitches FloppyDiskDrives OpticalMice OpticalTouchSensors •Small−side−viewepoxy−resinpackage •Highradiantintensity:IE=0.8mW/sr(min)atIF=20mA •Half−anglevalue:θ1/2=±15°(typ.) •Idealforuseincombinationwiththefollowingphotodete	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA

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详细参数

型号：
TIL117S(TB)
功能描述：
晶体管输出光电耦合器 Optocouplers
RoHS：
否
制造商：
Vishay Semiconductors
输入类型：
DC
最大集电极/发射极电压：
70 V
最大集电极/发射极饱和电压：
0.4 V
绝缘电压：
5300 Vrms
电流传递比：
100 % to 200 %
最大正向二极管电压：
1.65 V
最大输入二极管电流：
60 mA
最大集电极电流：
100 mA
最大功率耗散：
100 mW
最大工作温度：
+ 110 C
最小工作温度：
- 55 C
封装/箱体：
DIP-4
封装：
Bulk

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