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TIP126	文件：108.29 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconPNPDarlingtonPowerTransistor DESCRIPTION •WithTO-220Cpackage •DARLNGTON •HighDCcurrentgain •Lowcollectorsaturationvoltage •ComplementtotypeTIP120/121/122 APPLICATIONS •Designedforgeneral–purposeamplifier andlow–speedswitchingapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
TIP126	文件：69.1 Kbytes Page：2 Pages	SiliconPowerdarlingtonComplementarytransistors DESCRIPTION TheCENTRALSEMICONDUCTORTIP120,TIP125seriestypesareComplementarySiliconPowerDarlingtonTransistorsdesignedforlowspeedswitchingandamplifierapplications.	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
TIP126	文件：168.58 Kbytes Page：5 Pages	PNPEpitaxialDarlingtonTransistor PNPEpitaxialDarlingtonTransistor Features •MediumPowerLinearSwitchingApplications •ComplementarytoTIP120/TIP121/TIP122	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
TIP126	文件：100.15 Kbytes Page：2 Pages	PLASTICMEDIUM-POWERCOPLEMENTARYSILICONTRANSISTORS ...designedforgeneral−purposeamplifierandlow−speedswitchingapplications. FEATURES: •Collector−EmitterSustainingVoltage− VCEO(sus)=60V(Min)−TIP120,TIP125 =80V(Min)−TIP121,TIP126 =100V(Min)−TIP122,TIP127 •LowCollec	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
TIP126	文件：510.76 Kbytes Page：5 Pages	MonolithicConstructionWithBuiltInBase-EmitterShuntResistors MonolithicConstructionWithBuiltIn Base-EmitterShuntResistors -HighDCCurrentGain:hFE=1000@VCE=-4V,IC=-3A(Min.) -Collector-EmitterSustainingVoltage -LowCollector-EmitterSaturationVoltage -IndustrialUse -ComplementarytoTIP120/121/122	TAI-SAW TAI-SAW TECHNOLOGY CO., LTD.	TAI-SAW
TIP126	文件：555.16 Kbytes Page：3 Pages	DarlingtonTRANSISTOR(NPN) TO-220-3LPlastic-EncapsulateTransistors TIP120,121,122DarlingtonTRANSISTOR(NPN) TIP125,126,127DarlingtonTRANSISTOR(PNP) FEATURES ●MediumPowerComplementarySiliconTransistors	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 长电科技江苏长电科技股份有限公司	JIANGSU

晶体管资料

型号：
TIC126D
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
50HZ－Thy
性质：
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
400V
最大电流允许值：
7.5A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
BSTC1026M,CS6-04,S2800D,TAG660-400,
最大耗散功率：
放大倍数：
图片代号：
B-10
vtest：
400
htest：
999900
atest：
7.5
wtest：
0

详细参数

型号：
TIC126D
制造商：
Bourns Inc
功能描述：
SILICON CONTROLLED RECTIFIER,400V V(DRM),7.5A I(T),TO-220AB

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