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TIP126分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

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厂商型号

TIP126

参数属性

TIP126 封装/外壳为TO-220-3;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP DARL 80V 5A TO220-3

功能描述

Monolithic Construction With Built In Base-Emitter Shunt Resistors

封装外壳

TO-220-3

文件大小

510.76 Kbytes

页面数量

5

生产厂商

TAI-SAW

中文名称

嘉硕科技

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更新时间

2025-11-27 23:00:00

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TIP126规格书详情

Monolithic Construction With Built In

Base-Emitter Shunt Resistors

- High DC Current Gain : hFE=1000 @ VCE= -4V, IC= -3A (Min.)

- Collector-Emitter Sustaining Voltage

- Low Collector-Emitter Saturation Voltage

- Industrial Use

- Complementary to TIP120/121/122

产品属性

  • 产品编号:

    TIP126

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    管件

  • 晶体管类型:

    PNP - 达林顿

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    4V @ 20mA,5A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    2mA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    1000 @ 3A,3V

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3

  • 供应商器件封装:

    TO-220-3

  • 描述:

    TRANS PNP DARL 80V 5A TO220-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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