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TIC216B	文件：209.09 Kbytes Page：3 Pages	SILICON BIDIRECTIONAL TRIODE THYRISTOR DESCRIPTION This device is a bidirectional triode thyristor (triac) which may be triggered from the off-state to the on-state by either polarity of gate signal with main Terminal 2 at either polarity. • 6 A RMS • Glass Passivated Wafer • 100 V to 800 V Off-State Voltage • Max IGT of 5 mA (Qua 文件：209.09 Kbytes 页数：3 Pages	COMSET	COMSET
TIC216B	文件：163.44 Kbytes Page：3 Pages	SILICON TRIACS 文件：163.44 Kbytes 页数：3 Pages	COMSET	COMSET
TIC216B	文件：104.51 Kbytes Page：3 Pages	SILICON TRIACS 文件：104.51 Kbytes 页数：3 Pages	TI 德州仪器	TI
TIC216C	文件：104.51 Kbytes Page：3 Pages	SILICON TRIACS 文件：104.51 Kbytes 页数：3 Pages	TI 德州仪器	TI
TIC216D	文件：67.32 Kbytes Page：4 Pages	SILICON TRIACS ● Sensitive Gate Triacs ● 6 A RMS ● Glass Passivated Wafer ● 400 V to 800 V Off-State Voltage ● Max IGT of 5 mA (Quadrants 1 - 3) 文件：67.32 Kbytes 页数：4 Pages	POINN	POINN
TIC216D	文件：104.51 Kbytes Page：3 Pages	SILICON TRIACS 文件：104.51 Kbytes 页数：3 Pages	TI 德州仪器	TI

更多TIC216B供应商更新时间2025-10-7 17:00:00