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TIC225N	文件：211.76 Kbytes Page：3 Pages	SILICON BIDIRECTIONAL TRIODE THYRISTOR DESCRIPTION This device is a bidirectional triode thyristor (triac) which may be triggered from the off-state to the on-state by either polarityof gate signal with main Terminal 2 at either polarity. • Sensitive gate triacs • 8 A RMS • 70 A Peak • Glass Passivated Wafer • 100 文件：211.76 Kbytes 页数：3 Pages	COMSET	COMSET
TIC225N	文件：150.5 Kbytes Page：6 Pages	SILICON TRIACS SILICON TRIACS ● Sensitive Gate Triacs ● 8 A RMS, 70 A Peak ● Glass Passivated Wafer ● 400 V to 800 V Off-State Voltage ● Max IGT of 5 mA (Quadrant 1) 文件：150.5 Kbytes 页数：6 Pages	POINN	POINN
TIC225N	文件：164.75 Kbytes Page：4 Pages	SILICON BIDIRECTIONAL TRIODE THYRISTOR 文件：164.75 Kbytes 页数：4 Pages	COMSET	COMSET
TIC225N	文件：300 bytes Page：1 Pages	Thyristor	Comset	Comset
TIC225N-S	文件：300 bytes Page：1 Pages	TRIAC SENS GATE 800V 8A TO220	Bourns 伯恩斯	Bourns
TIC225N-S	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-3；包装：管件类别：分立半导体产品晶闸管 - TRIAC 描述：TRIAC SENS GATE 800V 8A TO220	Bourns Inc.	Bourns Inc.

晶体管资料

型号：
TIC225N
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Triac
性质：
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
800V
最大电流允许值：
8A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
TAG227-800,
最大耗散功率：
放大倍数：
图片代号：
B-10
vtest：
800
htest：
999900
atest：
8
wtest：
0

技术参数

电压 - 断态：
800V
电流 - 通态（It（RMS））（最大值）：
8A
电压 - 栅极触发（Vgt）（最大值）：
2V
电流 - 不重复浪涌 50，60Hz（Itsm）：
70A @ 50Hz
电流 - 栅极触发（Igt）（最大值）：
5mA
电流 - 保持（Ih）（最大值）：
20mA
配置：
单一
工作温度：
-40°C ~ 110°C（TC）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3
供应商器件封装：
TO-220

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