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TIC225E	文件：211.76 Kbytes Page：3 Pages	SILICON BIDIRECTIONAL TRIODE THYRISTOR DESCRIPTION This device is a bidirectional triode thyristor (triac) which may be triggered from the off-state to the on-state by either polarityof gate signal with main Terminal 2 at either polarity. • Sensitive gate triacs • 8 A RMS • 70 A Peak • Glass Passivated Wafer • 100 文件：211.76 Kbytes 页数：3 Pages	COMSET	COMSET
TIC225E	文件：164.75 Kbytes Page：4 Pages	SILICON BIDIRECTIONAL TRIODE THYRISTOR 文件：164.75 Kbytes 页数：4 Pages	COMSET	COMSET
TIC225E	文件：300 bytes Page：1 Pages	Thyristor	Comset	Comset
TIC225M	文件：211.76 Kbytes Page：3 Pages	SILICON BIDIRECTIONAL TRIODE THYRISTOR DESCRIPTION This device is a bidirectional triode thyristor (triac) which may be triggered from the off-state to the on-state by either polarityof gate signal with main Terminal 2 at either polarity. • Sensitive gate triacs • 8 A RMS • 70 A Peak • Glass Passivated Wafer • 100 文件：211.76 Kbytes 页数：3 Pages	COMSET	COMSET
TIC225M	文件：150.5 Kbytes Page：6 Pages	SILICON TRIACS SILICON TRIACS ● Sensitive Gate Triacs ● 8 A RMS, 70 A Peak ● Glass Passivated Wafer ● 400 V to 800 V Off-State Voltage ● Max IGT of 5 mA (Quadrant 1) 文件：150.5 Kbytes 页数：6 Pages	POINN	POINN
TIC225M	文件：164.75 Kbytes Page：4 Pages	SILICON BIDIRECTIONAL TRIODE THYRISTOR 文件：164.75 Kbytes 页数：4 Pages	COMSET	COMSET

晶体管资料

型号：
TIC225E
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Triac
性质：
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
500V
最大电流允许值：
8A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
TAG227-500,
最大耗散功率：
放大倍数：
图片代号：
B-10
vtest：
500
htest：
999900
atest：
8
wtest：
0

详细参数

型号：
TIC225E
制造商：
COMSET
制造商全称：
Comset Semiconductor
功能描述：
SILICON BIDIRECTIONAL TRIODE THYRISTOR

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