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TIC216M

SILICON BIDIRECTIONAL TRIODE THYRISTOR

DESCRIPTION This device is a bidirectional triode thyristor (triac) which may be triggered from the off-state to the on-state by either polarity of gate signal with main Terminal 2 at either polarity. • 6 A RMS • Glass Passivated Wafer • 100 V to 800 V Off-State Voltage • Max IGT of 5 mA (Qua

文件:209.09 Kbytes 页数:3 Pages

COMSET

TIC216M

SILICON TRIACS

● Sensitive Gate Triacs ● 6 A RMS ● Glass Passivated Wafer ● 400 V to 800 V Off-State Voltage ● Max IGT of 5 mA (Quadrants 1 - 3)

文件:67.32 Kbytes 页数:4 Pages

POINN

TIC216M

SILICON TRIACS

文件:115.59 Kbytes 页数:3 Pages

ETC1List of Unclassifed Manufacturers

etc未分类制造商未分类制造商

TIC216M

SILICON TRIACS

文件:163.44 Kbytes 页数:3 Pages

COMSET

TIC216M

isc Triacs

文件:108.68 Kbytes 页数:1 Pages

ISC

无锡固电

TIC216M

Sensitive Gate Triacs

文件:48.59 Kbytes 页数:1 Pages

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体公司

TIC216M

SILICON TRIACS

文件:104.51 Kbytes 页数:3 Pages

TI

德州仪器

TIC216M

Thyristor

Comset

TIC216M-S

TRIAC SENS GATE 600V 6A TO220

Bourns

伯恩斯

TIC216M-S

Package:TO-220-3;包装:管件 类别:分立半导体产品 晶闸管 - TRIAC 描述:TRIAC SENS GATE 600V 6A TO220

Bourns Inc.

Bourns Inc.

技术参数

  • 电压 - 断态:

    600V

  • 电流 - 通态(It(RMS))(最大值):

    6A

  • 电压 - 栅极触发(Vgt)(最大值):

    2.2V

  • 电流 - 不重复浪涌 50,60Hz(Itsm):

    60A @ 50Hz

  • 电流 - 栅极触发(Igt)(最大值):

    5mA

  • 电流 - 保持(Ih)(最大值):

    30mA

  • 配置:

    单一

  • 工作温度:

    -40°C ~ 110°C(TC)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3

  • 供应商器件封装:

    TO-220

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
TI
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TI
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更多TIC216M供应商 更新时间2025-9-26 16:25:00