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TIC106B

P-N-P-N SILICON REVERSE-BLOCKING TRIODE THYRISTORS

P-N-P-N SILICON REVERSE-BLOCKING TRIODE THYRISTORS • 5 A Continuous On-State Current • 30 A Surge-Current • Glass Passivated Wafer • 100 V to 800 V Off-State Voltage • Max IGTof 200 µA • Compliance to ROHS

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COMSET

TIC106B

P-N-P-N SILICON REVERSE-BLOCKING TRIODE THYRISTORS

P-N-P-N SILICON REVERSE-BLOCKING TRIODE THYRISTORS ● Silicon Controlled Rectifiers ● 50 V to 600 V ● 5 A DC ● 30 A Surge Current ● MAX IGT of 200 A

文件:129.78 Kbytes 页数:3 Pages

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体公司

TIC106B

PNP SILICON REVERSE BLOCKING TRIODE THYRISTORS

文件:230.09 Kbytes 页数:6 Pages

TI

德州仪器

TIC106B

P-N-P-N SILICON REVERSE-BLOCKING TRIODE THYRISTORS

文件:163.81 Kbytes 页数:4 Pages

COMSET

晶体管资料

  • 型号:

    TIC106B

  • 别名:

    三极管、晶体管、晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    50HZ-Thy

  • 性质:

  • 封装形式:

    直插封装

  • 极限工作电压:

    200V

  • 最大电流允许值:

    3.2A

  • 最大工作频率:

    <1MHZ或未知

  • 引脚数:

    3

  • 可代换的型号:

    S4060B,TAG623-200,TAG628-200,

  • 最大耗散功率:

  • 放大倍数:

  • 图片代号:

    B-10

  • vtest:

    200

  • htest:

    999900

  • atest:

    3.2

  • wtest:

    0

详细参数

  • 型号:

    TIC106B

  • 制造商:

    TI

  • 制造商全称:

    Texas Instruments

  • 功能描述:

    PNP SILICON REVERSE BLOCKING TRIODE THYRISTORS

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TI/德州仪器
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更多TIC106B供应商 更新时间2026-4-17 10:31:00