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TIC108M

P-N-P-N SILICON REVERSE-BLOCKING TRIODE THYRISTORS

P-N-P-N SILICON REVERSE-BLOCKING TRIODE THYRISTORS • 5 A Continuous On-State Current • 20 A Surge-Current • Glass Passivated Wafer • 100 V to 800 V Off-State Voltage • Max IGT of 1 mA • Compliance to ROHS

文件:208.41 Kbytes 页数:4 Pages

COMSET

TIC108M

SILICON CONTROLLED RECTIFIERS

SILICON CONTROLLED RECTIFIERS ● 5 A Continuous On-State Current ● 20 A Surge-Current ● Glass Passivated Wafer ● 400 V to 800 V Off-State Voltage ● Max IGT of 1 mA

文件:162.37 Kbytes 页数:8 Pages

POINN

TIC108M

Thyristor

Comset

TIC108M-S

Package:TO-220-3;包装:散装 类别:分立半导体产品 晶闸管 - SCR 描述:SCR 600V 5A TO220

Bourns Inc.

Bourns Inc.

晶体管资料

  • 型号:

    TIC108M

  • 别名:

    三极管、晶体管、晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    50HZ-Thy

  • 性质:

  • 封装形式:

    直插封装

  • 极限工作电压:

    600V

  • 最大电流允许值:

    3.2A

  • 最大工作频率:

    <1MHZ或未知

  • 引脚数:

    3

  • 可代换的型号:

    TAG622…,TAG623…,TAG628…,TIC106…,

  • 最大耗散功率:

  • 放大倍数:

  • 图片代号:

    B-10

  • vtest:

    600

  • htest:

    999900

  • atest:

    3.2

  • wtest:

    0

详细参数

  • 型号:

    TIC108M

  • 制造商:

    POINN

  • 制造商全称:

    Power Innovations Ltd

  • 功能描述:

    SILICON CONTROLLED RECTIFIERS

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更多TIC108M供应商 更新时间2026-4-17 11:08:00