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TH58BYG3S0HBAI6中文资料BENAND (Built-in ECC SLCNAND)数据手册Toshiba规格书
TH58BYG3S0HBAI6规格书详情
描述 Description
Capacity (bit)：8G(4G×2)
Tech. node (nm)：24
Page size (bit)：(4096+128)×8
Block size (bit)：(256K+8K)×8
I/O (bit)：8
Keyword：8Gbit BENAND, 1.8V, x8, 24nm, FBGA
RoHS Compatible Product(s) (#)：Available
技术参数
- 制造商编号
：TH58BYG3S0HBAI6
- 生产厂家
：Toshiba
- Access Time (Serial Cycle) (Min)
：25 nsec
- Operational Temperature
：-40 to 85 ℃
- Supply Voltage
：1.7 to 1.95 V
- Block Erasing Time (Typ.)
：3.5 msec
- Program Time (Typ.)
：0.34 μs
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