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TH58BYG2S3HBAI4数据手册集成电路(IC)的存储器规格书PDF

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厂商型号

TH58BYG2S3HBAI4

参数属性

TH58BYG2S3HBAI4 封装/外壳为63-VFBGA;包装为卷带(TR)剪切带(CT);类别为集成电路(IC)的存储器;产品描述:IC FLASH 4GBIT 63TFBGA

功能描述

NAND闪存 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)

封装外壳

63-VFBGA

制造商

Toshiba Toshiba Semiconductor

中文名称

东芝 株式会社东芝

数据手册

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更新时间

2025-8-9 8:02:00

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技术参数

  • 产品编号:

    TH58BYG2S3HBAI4

  • 制造商:

    Kioxia America, Inc.

  • 类别:

    集成电路(IC) > 存储器

  • 系列:

    Benand™

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)

  • 存储器类型:

    非易失

  • 存储器格式:

    闪存

  • 技术:

    FLASH - NAND(SLC)

  • 存储容量:

    4Gb(512M x 8)

  • 工作温度:

    -40°C ~ 85°C

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    63-VFBGA

  • 供应商器件封装:

    63-TFBGA(9x11)

  • 描述:

    IC FLASH 4GBIT 63TFBGA

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Toshiba Memory America, Inc.
21+
BGA
1000
进口原装!长期供应!绝对优势价格(诚信经营
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TOSHIBA
24+
FBGA
480
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Toshiba
24+
SMD
15600
电可擦除可编程只读存储器1.8V
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TOSHIBA/东芝
23+
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3000
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Kioxia
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25000
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TH58C512XB
10
10
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Kioxia
25+
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7800
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Toshiba Memory America, Inc.
24+
-
56200
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Kioxia America Inc
23+/24+
63-VFBGA
8600
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Toshiba Semiconductor and Stor
22+
67VFBGA (6.5x8)
9000
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