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TH58BYG2S3HBAI4中文资料NAND闪存 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)数据手册Toshiba规格书

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厂商型号

TH58BYG2S3HBAI4

参数属性

TH58BYG2S3HBAI4 封装/外壳为63-VFBGA;包装为卷带(TR)剪切带(CT);类别为集成电路(IC)的存储器;产品描述:IC FLASH 4GBIT 63TFBGA

功能描述

NAND闪存 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)

封装外壳

63-VFBGA

制造商

Toshiba Toshiba Semiconductor

中文名称

东芝 株式会社东芝

数据手册

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更新时间

2025-9-23 16:50:00

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TH58BYG2S3HBAI4价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货

技术参数

  • 产品编号:

    TH58BYG2S3HBAI4

  • 制造商:

    Kioxia America, Inc.

  • 类别:

    集成电路(IC) > 存储器

  • 系列:

    Benand™

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)

  • 存储器类型:

    非易失

  • 存储器格式:

    闪存

  • 技术:

    FLASH - NAND(SLC)

  • 存储容量:

    4Gb(512M x 8)

  • 工作温度:

    -40°C ~ 85°C

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    63-VFBGA

  • 供应商器件封装:

    63-TFBGA(9x11)

  • 描述:

    IC FLASH 4GBIT 63TFBGA

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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