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TH58100FT中文资料TENTATIVE TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS数据手册Toshiba规格书

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厂商型号

TH58100FT

功能描述

TENTATIVE TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS

制造商

Toshiba Toshiba Semiconductor

中文名称

东芝 株式会社东芝

数据手册

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更新时间

2025-9-23 11:08:00

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技术参数

  • 型号:

    TH58100FT

  • 功能描述:

    IC FLASH 1GBIT 50NS 48TSOP

  • RoHS:

  • 类别:

    集成电路(IC) >> 存储器

  • 系列:

    -

  • 标准包装:

    150

  • 系列:

    - 格式 -

  • 存储器:

    EEPROMs - 串行

  • 存储器类型:

    EEPROM

  • 存储容量:

    4K(2 x 256 x 8)

  • 速度:

    400kHz

  • 接口:

    I²C,2 线串口

  • 电源电压:

    2.5 V ~ 5.5 V

  • 工作温度:

    -40°C ~ 85°C

  • 封装/外壳:

    8-VFDFN 裸露焊盘

  • 供应商设备封装:

    8-DFN(2x3)

  • 包装:

    管件

  • 产品目录页面:

    1445(CN2011-ZH PDF)

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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