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TH58100FT

TENTATIVE TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS

DESCRIPTION The TH58100 is a single 3.3 V 1-Gbit (1,107,296,256) bit NAND Electrically Erasable and Programmable Read-Only Memory (NAND E2PROM) organized as 528 bytes x 32 pages x 8192 blocks. The device has a 528-byte static register which allows program and read data to be transferred between t

文件:421.77 Kbytes 页数:43 Pages

TOSHIBA

东芝

TH58100FT

TENTATIVE TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS

Toshiba

东芝

AX58100

EtherCAT Slave Controller

文件:6.13227 Mbytes 页数:71 Pages

ASIXASIX Electronics Corporation

亚信电子亚信电子股份有限公司

B58100

NTC thermistors for temperature measurement

文件:202.19 Kbytes 页数:9 Pages

EPCOS

爱普科斯

B58100

NTC thermistors for temperature measurement

文件:207.83 Kbytes 页数:9 Pages

EPCOS

爱普科斯

详细参数

  • 型号:

    TH58100FT

  • 功能描述:

    IC FLASH 1GBIT 50NS 48TSOP

  • RoHS:

  • 类别:

    集成电路(IC) >> 存储器

  • 系列:

    -

  • 标准包装:

    150

  • 系列:

    - 格式 -

  • 存储器:

    EEPROMs - 串行

  • 存储器类型:

    EEPROM

  • 存储容量:

    4K(2 x 256 x 8)

  • 速度:

    400kHz

  • 接口:

    I²C,2 线串口

  • 电源电压:

    2.5 V ~ 5.5 V

  • 工作温度:

    -40°C ~ 85°C

  • 封装/外壳:

    8-VFDFN 裸露焊盘

  • 供应商设备封装:

    8-DFN(2x3)

  • 包装:

    管件

  • 产品目录页面:

    1445(CN2011-ZH PDF)

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
TOSHIBA/东芝
2025+
TSOP
5000
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TOS
24+
TSOP
9
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TOSHIBA
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百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可
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TOSHIBA/东芝
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更多TH58100FT供应商 更新时间2026-4-10 16:36:00