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TH58BYG2S3HBAI4	文件：300 bytes Page：1 Pages	NAND闪存 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)	Toshiba 东芝	Toshiba
TH58BYG2S3HBAI4	文件：868 Kbytes Page：2 Pages	SLC NAND & BENAND Reliability and Performance 文件：868 Kbytes 页数：2 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
TH58BYG2S3HBAI4	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：63-VFBGA；包装：卷带（TR）剪切带（CT）类别：集成电路（IC）存储器描述：IC FLASH 4GBIT 63TFBGA	Kioxia America, Inc.	Kioxia America, Inc.
TH58LKT1Y25BA8C	文件：0 bytes Page：0 Pages	Toshba N/A	Toshba 上传：海芯未来半导体电子（深圳）有限公司	Toshba
TH58LKT2Y25BA8H	文件：0 bytes Page：0 Pages	KIOXIA/铠侠 BGA	KIOXIA/铠侠上传：海芯未来半导体电子（深圳）有限公司	KIOXIA/铠侠

产品属性

产品编号：
TH58BYG2S3HBAI4
制造商：
Kioxia America, Inc.
类别：
集成电路（IC） > 存储器
系列：
Benand™
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）
存储器类型：
非易失
存储器格式：
闪存
技术：
FLASH - NAND（SLC）
存储容量：
4Gb（512M x 8）
工作温度：
-40°C ~ 85°C
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
63-VFBGA
供应商器件封装：
63-TFBGA（9x11）
描述：
IC FLASH 4GBIT 63TFBGA

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