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TH58BVG2S3HTAI0中文资料NAND闪存 4Gb 24nm I-Temp SLC NAND (EEPROM)数据手册Toshiba规格书

厂商型号 |
TH58BVG2S3HTAI0 |
参数属性 | TH58BVG2S3HTAI0 封装/外壳为48-TFSOP(0.724",18.40mm 宽);包装为散装;类别为集成电路(IC)的存储器;产品描述:IC FLASH 4GBIT PARALLEL 48TSOP I |
功能描述 | NAND闪存 4Gb 24nm I-Temp SLC NAND (EEPROM) |
封装外壳 | 48-TFSOP(0.724",18.40mm 宽) |
制造商 | Toshiba Toshiba Semiconductor |
中文名称 | 东芝 株式会社东芝 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-9-23 11:10:00 |
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技术参数
- 产品编号:
TH58BVG2S3HTAI0
- 制造商:
Kioxia America, Inc.
- 类别:
集成电路(IC) > 存储器
- 系列:
Benand™
- 包装:
散装
- 存储器类型:
非易失
- 存储器格式:
闪存
- 技术:
FLASH - NAND(SLC)
- 存储容量:
4Gb(512M x 8)
- 存储器接口:
并联
- 写周期时间 - 字,页:
25ns
- 电压 - 供电:
2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:
-40°C ~ 85°C(TA)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
48-TFSOP(0.724",18.40mm 宽)
- 供应商器件封装:
48-TSOP I
- 描述:
IC FLASH 4GBIT PARALLEL 48TSOP I
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
TOSHIBA/东芝 |
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24+ |
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15600 |
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Toshiba Semiconductor and Stor |
22+ |
48TSOP I |
9000 |
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TOSHIBA/东芝 |
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KIOXIA CORPORATION |
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询价 |