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AOTF20S60	文件：296.46 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
AOTF20S60	文件：1.15441 Mbytes Page：11 Pages	N-Channel650-V(D-S)SuperJunctionMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
AOTF20S60L	文件：296.62 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
AOTF20S60L	文件：519.87 Kbytes Page：7 Pages	600V20AaMOS GeneralDescription TheAOT20S60&AOB20S60&AOTF20S60havebeenfabricatedusingtheadvancedαMOSTMhighvoltageprocessthatisdesignedtodeliverhighlevelsofperformanceandrobustnessinswitchingapplications.ByprovidinglowRDS(on),QgandEOSSalongwithguaranteedavalanch	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOV20S60	文件：77.21 Kbytes Page：1 Pages	DFN8X8PACKAGEMARKINGDESCRIPTION	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOW20S60	文件：344.36 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor DESCRIPTION •Designedforuseinswitchmodepowersuppliesandgeneral purposeapplications. FEATURES •DrainCurrent–ID=20A@TC=25℃ •DrainSourceVoltage- :VDSS=600V(Min) •StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.199Ω(Max) •100avalanchetested •MinimumLot-to-L	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
AOW20S60	文件：284.58 Kbytes Page：6 Pages	600V20AaMOSTMPowerTransistor GeneralDescription TheAOW20S60&AOWF20S60havebeenfabricatedusingtheadvancedαMOSTMhighvoltageprocessthatisdesignedtodeliverhighlevelsofperformanceandrobustnessinswitchingapplications. ByprovidinglowRDS(on),QgandEOSSalongwithguaranteedavalanchecapabilityt	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
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CF20S60CT	文件：502.83 Kbytes Page：3 Pages	20AHighPowerSchottkyBarrierRectifier	CITCChip Integration Technology Corporation 竹懋科技竹懋科技股份有限公司	CITC

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