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NP80N04DHE	文件：212.96 Kbytes Page：10 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTORSWITCHINGN-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION TheseproductsareN-channelMOSFieldEffectTransistorsdesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Channeltemperature175degreerated •Superlowon-stateresistance RDS(on)=8.0mΩMAX.(VGS=10V,ID=40A) •Lowinputcapacitance Ciss=2200pF	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
NP80N04DHE	文件：299.24 Kbytes Page：12 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR SWITCHING CHANNELPOWERMOSFET FEATURES •Channeltemperature175degreerated •Superlowon-stateresistance RDS(on)=8.0mΩMAX.(VGS=10V,ID=40A) •Lowinputcapacitance Ciss=2200pFTYP. •Built-ingateprotectiondiode	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP80N04EHE	文件：299.24 Kbytes Page：12 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR SWITCHING CHANNELPOWERMOSFET FEATURES •Channeltemperature175degreerated •Superlowon-stateresistance RDS(on)=8.0mΩMAX.(VGS=10V,ID=40A) •Lowinputcapacitance Ciss=2200pFTYP. •Built-ingateprotectiondiode	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP80N04EHE	文件：212.96 Kbytes Page：10 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTORSWITCHINGN-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION TheseproductsareN-channelMOSFieldEffectTransistorsdesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Channeltemperature175degreerated •Superlowon-stateresistance RDS(on)=8.0mΩMAX.(VGS=10V,ID=40A) •Lowinputcapacitance Ciss=2200pF	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
NP80N04KHE	文件：212.96 Kbytes Page：10 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTORSWITCHINGN-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION TheseproductsareN-channelMOSFieldEffectTransistorsdesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Channeltemperature175degreerated •Superlowon-stateresistance RDS(on)=8.0mΩMAX.(VGS=10V,ID=40A) •Lowinputcapacitance Ciss=2200pF	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
NP80N04KHE	文件：5.67799 Mbytes Page：6 Pages	ProductScoutAutomotive	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP80N04KHE	文件：299.24 Kbytes Page：12 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR SWITCHING CHANNELPOWERMOSFET FEATURES •Channeltemperature175degreerated •Superlowon-stateresistance RDS(on)=8.0mΩMAX.(VGS=10V,ID=40A) •Lowinputcapacitance Ciss=2200pFTYP. •Built-ingateprotectiondiode	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP80N04KHE	文件：1.07393 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel40V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
NP80N04MDG	文件：968.67 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel40-V(D-S)MOSFET FEATURES •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgandUISTested APPLICATIONS •SynchronousRectification •PowerSupplies	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
NP80N04MDG	文件：5.67799 Mbytes Page：6 Pages	ProductScoutAutomotive	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

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