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TF06	文件：252.49 Kbytes Page：2 Pages	Room temperature sensor with hygrostat GS 40.40 mod / GS 41.40 mod 文件：252.49 Kbytes 页数：2 Pages	HUGO-MUELLER	HUGO-MUELLER
TF060N03M	文件：4.28487 Mbytes Page：6 Pages	丝印：TF060N03M；Package：PDFNWB3.3x3.3-8L；N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET ● General Description The TF060N03M uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) withlowgate charge. It can be used in a wide variety ofapplications. ● Features Advance device constructure Low RDS(ON) to minimize conduction loss Low Gate Charge for fast switching 文件：4.28487 Mbytes 页数：6 Pages	TUOFENG 拓锋半导体	TUOFENG
TF060N03N	文件：4.2957 Mbytes Page：6 Pages	丝印：TF060N03N；Package：PDFNWB5x6-8L；N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET ● General Description The TF060N03N uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) withlowgate charge. It can be used in a wide variety ofapplications. ● Features Advance device constructure Low RDS(ON) to minimize conduction loss Low Gate Charge for fast switching 文件：4.2957 Mbytes 页数：6 Pages	TUOFENG 拓锋半导体	TUOFENG
TF060N04NG	文件：3.11919 Mbytes Page：5 Pages	N -CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET ● General Description The TF060N04NG combines advanced trench MOSFET technology with a low resistance package to provide extremely low RDS(ON) .This device is ideal for load switch and battery protection applications. ● Features Advance high cell density Trench technology Low RDS(ON) to 文件：3.11919 Mbytes 页数：5 Pages	TUOFENG 拓锋半导体	TUOFENG
TF060P03M	文件：1.15776 Mbytes Page：5 Pages	丝印：TF060P03M；Package：PDFNWB3.3x3.3-8L；P -CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET ● General Description The TF060P03M combines advanced trench MOSFETtechnology with a low resistance package toprovideextremely low RDS(ON). ● Features Advance high cell density Trench technology Low RDS(ON) to minimize conductive loss Low Gate Charge for fast switching Low Thermal resist 文件：1.15776 Mbytes 页数：5 Pages	TUOFENG 拓锋半导体	TUOFENG
TF060197WP10338AQ1	文件：85.19 Kbytes Page：4 Pages	RF Power Pot Capacitors 文件：85.19 Kbytes 页数：4 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
TF060215BJ15338AQ1	文件：85.19 Kbytes Page：4 Pages	RF Power Pot Capacitors 文件：85.19 Kbytes 页数：4 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
TF060303	文件：144.92 Kbytes Page：2 Pages	SMD MULTILAYER CERAMIC CHIP INDUCTORS 文件：144.92 Kbytes 页数：2 Pages	FRONTIER	FRONTIER
TF060303-0N3	文件：144.92 Kbytes Page：2 Pages	SMD MULTILAYER CERAMIC CHIP INDUCTORS 文件：144.92 Kbytes 页数：2 Pages	FRONTIER	FRONTIER
TF060303-0N4	文件：144.92 Kbytes Page：2 Pages	SMD MULTILAYER CERAMIC CHIP INDUCTORS 文件：144.92 Kbytes 页数：2 Pages	FRONTIER	FRONTIER

技术参数

Inductance(μH)：
1.0
QMin.：
4
SRF(MHz)Typ.：
>10000
RDC(Ω) MAX.：
0.11
Rated Current(mA) MAX.：
470
Tolerance：
S

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳市河锋鑫科技有限公司	TF06L-80S-0.5SH(800)连接器	HRS/广濑	19+	80PIN	1650		询价
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更多TF06供应商更新时间2026-1-27 15:30:00

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