丝印：TF060P03M；Package：PDFNWB3.3x3.3-8L；P -CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

● General Description The TF060P03M combines advanced trench MOSFETtechnology with a low resistance package toprovideextremely low RDS(ON). ● Features Advance high cell density Trench technology Low RDS(ON) to minimize conductive loss Low Gate Charge for fast switching Low Thermal resist

文件：1.15776 Mbytes 页数：5 Pages

TUOFENG

拓锋半导体

SIP-6P

TOSHIBA

东芝

上传：谛辉(北京/上海/青岛 )电子科技有限公司

SOT-723

UTC/友顺

上传：深圳广友电子有限公司

SOT23-3

SANYO

三洋

上传：深圳市旺财半导体有限公司

SOT-723

ON/安森美

上传：深圳市诺美思科技有限公司