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TF075N03M	文件：2.35814 Mbytes Page：6 Pages	PDFN 3333 Plastic-Encapsulate MOSFETS Features •30V/30A RDS(ON)=7.5mΩ(Typ.)@VGS=10V RDS(ON)=9.3mΩ(Typ.)@VGS=4.5V •SuperHighDenseCellDesign •FastSwitchingSpeed •LowgateCharge •100avalanchetested •LeadFreeandGreenDevicesAvailable Applications •SwitchingApplicationSystems	TUOFENGShenzhen Tuofeng Semiconductor Technology Co 拓锋半导体深圳市拓锋半导体科技有限公司	TUOFENG
075N03L	文件：1.69146 Mbytes Page：7 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
075N03L	文件：1.63964 Mbytes Page：7 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
IIPD075N03L	文件：334.54 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor •DESCRITION •Fastswitching •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance:RDS(on)≤7.5mΩ •Enhancementmode: •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IPD075N03L	文件：334.54 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor •DESCRITION •Fastswitching •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance:RDS(on)≤7.5mΩ •Enhancementmode: •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IPD075N03L	文件：554.59 Kbytes Page：12 Pages	OptiMOSPower-Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
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深圳市力通伟业半导体有限公司	TF07L-50S-0.5SH(800)	HRS/广濑	14+	连接器	100000	专营连接器,手机连接器原装现货	询价
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更多TF075N03M供应商更新时间2024-6-15 18:30:00

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