P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

● General Description The TF080P02M combines advanced trench MOSFETtechnology with a low resistance package toprovideextremely low RDS(ON). ● Features Advance high cell density Trench technology Low RDS(ON) to minimize conductive loss Low Gate Charge for fast switching Low Thermal resi

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TUOFENG

拓锋半导体

TOSHIBA
SIP-6P

TOSHIBA

东芝

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UTC/友顺
SOT-723

UTC/友顺

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SANYO
SOT23-3

SANYO

三洋

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SOT-723

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