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TF082N10NG	文件：1.73977 Mbytes Page：6 Pages	N -CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET ●GeneralDescription TheTF082N10NGusesadvancedtrenchtechnology anddesigntoprovideexcellentRDS(ON)withlowgate charge.Itcanbeusedinawidevarietyofapplications. ●Features Advancedeviceconstructure LowRDS(ON)tominimizeconductionloss LowGateChargeforfastswitchi	TUOFENGShenzhen Tuofeng Semiconductor Technology Co 拓锋半导体深圳市拓锋半导体科技有限公司	TUOFENG
082N10N	文件：485.69 Kbytes Page：8 Pages	100VN-ChannelMOSFET Features •N-channel,normallevel •ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) •Verylowon-resistanceRDS(on) •175°Coperatingtemperature •Idealforhigh-frequencyswitchingandsynchronousrectification •VDS=100V •ID(atVGS=10V)=80A •RDS(ON)(atVGS=10V)	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友台半导体广东友台半导体有限公司	UMW
BSC082N10LSG	文件：441.9 Kbytes Page：10 Pages	OptiMOS??Power-Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
TF218A5B-TL	文件：0 bytes Page：0 Pages	SANYO SOT23-3	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社相关企业：深圳市旺财半导体有限公司	SANYO
TF252TH-4A-TL-H	文件：0 bytes Page：0 Pages	ON/安森美 SOT-723	ON/安森美相关企业：深圳市诺美思科技有限公司	ON/安森美

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